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STP18N60M2

更新時間:2025-06-05 18:31:44

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STP18N60M2 概述

STP18N60M2是意法半導體生產(chǎn)的一款高壓功率MOSFET。該器件采用先進的MDmesh M2技術，具有低導通電阻和優(yōu)異的開關性能，適用于高頻應用。其最大漏源電壓為600V，連續(xù)漏極電流可達18A。典型應用包括開關電源、照明系統(tǒng)中的鎮(zhèn)流器、適配器以及工業(yè)設備中的電機驅(qū)動控制。在設計開關電源時，這款MOSFET可有效降低開關損耗并提高效率。建議在PCB布局中確保柵極驅(qū)動回路盡可能短以減少寄生電感，并且要適當選擇柵極電阻來優(yōu)化開關速度。此外，在電機驅(qū)動應用中，需注意散熱設計，保證結溫不超過最大額定值。使用時還需考慮EMI抑制措施，如添加合適的RC緩沖電路等。

STP18N60M2 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
998現(xiàn)貨
系列
MDmesh? II Plus
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
13A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
280 毫歐 @ 6.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
21.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
791 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
110W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220
封裝/外殼
TO-220-3

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廣東微爾科技有限公司

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