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STP2N80K5

更新時間:2025-05-23 17:53:38

供應商
產(chǎn)品型號
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數(shù)量
廠商
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MOSFET單管,原裝和國產(chǎn)替代

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原裝現(xiàn)貨，當天可交貨，原型號開票

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深圳市銘科微電子有限公司
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深圳市創(chuàng)芯友科技有限公司
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柒號芯城電子商務(深圳)有限公
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深圳市興中芯科技有限公司
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STP2N80K5 概述

STP2N80K5是由意法半導體生產(chǎn)的一款高性能功率MOSFET。這款器件采用了先進的溝槽柵極技術(shù)，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性。其最大漏源電壓（Vds）可達800V，連續(xù)漏極電流（Id）為2A，適用于高電壓、低功耗的應用環(huán)境。該MOSFET廣泛應用于電源管理、工業(yè)控制及消費類電子設(shè)備中，如AC/DC轉(zhuǎn)換器、適配器、LED驅(qū)動器等。在實際應用中，建議根據(jù)具體電路需求選擇合適的柵極驅(qū)動電阻值以優(yōu)化開關(guān)速度，并注意散熱設(shè)計，確保工作溫度不超過最大額定值。由于其高壓特性，在使用時需特別注意電氣隔離與防護措施，防止損壞器件或造成安全隱患。

STP2N80K5 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
1,527現(xiàn)貨
系列
SuperMESH5?
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
800 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
2A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
4.5 歐姆 @ 1A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 100μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
95 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
45W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220
封裝/外殼
TO-220-3

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廣東微爾科技有限公司

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