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STP62NS04Z

更新時間:2025-06-15 03:06:55

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STP62NS04Z外觀圖

STP62NS04Z

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 33V 62A TO-220

封裝:TO-220-3

STP62NS04Z 概述

STP62NS04Z是意法半導體生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和高電流處理能力的特點，適用于多種電源管理應用。其典型應用場景包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、電池充電器、不間斷電源系統(tǒng)以及電機驅(qū)動控制等。在電路設計中，它能夠高效地開關電源，減少能量損耗并提高系統(tǒng)整體效率。使用時應注意柵極驅(qū)動電壓的選擇以確保完全開啟或關閉MOSFET，避免不必要的功耗。此外，在布局PCB時要特別注意減小源極與漏極之間的電感，防止產(chǎn)生過沖電壓損壞器件。

STP62NS04Z 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
STP62NS04Z View All Specifications
標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
33V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
62A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
15 毫歐 @ 30A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
47nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1330pF @ 25V
功率 - 最大
110W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
497-5896-5STP62NS04Z-ND

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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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