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STP7NK30Z

更新時間:2025-07-04 13:59:46

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STP7NK30Z外觀圖

STP7NK30Z

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 300V 5A TO-220

封裝:TO-220-3

STP7NK30Z 概述

STP7NK30Z是一款由意法半導體生產的N溝道功率MOSFET。該器件專為高頻開關應用設計，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓（Vds）為300V，適合在高電壓電路中使用。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、電機驅動、開關電源以及工業(yè)自動化設備中的功率轉換電路。在實際應用中，此MOSFET可有效提升系統(tǒng)效率并減少熱量產生。為了確保最佳性能，在布局PCB時應盡量縮短源極與柵極之間的引線長度以減少寄生電感。此外，推薦使用適當?shù)纳岽胧┤缟崞骰蛏崞瑏砀纳茻峁芾?。設計電路時還需注意柵極驅動電壓的選擇，通常建議柵極電壓范圍為10-15V以確保完全開啟MOSFET。如果需要更詳細的電氣參數(shù)，請參考官方數(shù)據(jù)手冊。

STP7NK30Z 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
STP7NK30Z View All Specifications
標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
SuperMESH™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
300V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
900 毫歐 @ 2.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 50µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
13nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
380pF @ 25V
功率 - 最大
50W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件

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