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STP85N3LH5

更新時間:2025-06-07 15:19:09

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STP85N3LH5外觀圖

STP85N3LH5

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 30V 80A TO-220

封裝:TO-220-3

STP85N3LH5 概述

STP85N3LH5是意法半導體生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用先進工藝制造，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效能電源管理應用。其最大漏源電壓為30V，適合在低壓高頻DC-DC轉換器中使用。典型應用場景包括同步整流、負載開關及電機驅動等。該MOSFET采用了先進的封裝技術以減小寄生電感和電阻，提高整體效率。在實際應用中，建議根據具體電路需求選擇合適的柵極驅動電阻值，以優(yōu)化開關速度并減少EMI干擾。對于高頻率應用，需注意PCB布局，盡量縮短引線長度，以降低噪聲耦合風險。在設計時還需考慮足夠的散熱措施，確保器件長期穩(wěn)定工作。

STP85N3LH5 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
STP85N3LH5 View All Specifications
標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
80A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
5.4 毫歐 @ 40A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
14nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1850pF @ 25V
功率 - 最大
70W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
497-8451-5

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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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