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TLE2072IDR

更新時間:2025-06-30 05:35:31

供應商
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深圳市誠研翔科技有限公司
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TLE2072IDR外觀圖

TLE2072IDR

Texas Instruments Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps

IC OPAMP JFET 10MHZ DUAL 8SOIC

封裝:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

TLE2072IDR 概述

TLE2072IDR是德州儀器生產(chǎn)的一款高性能低功耗雙路運算放大器。它采用先進的LinCMOS工藝制造，具有極低的靜態(tài)電流和寬工作電壓范圍（3V至36V單電源或±1.5V至±18V雙電源）。該運放具備高增益帶寬積和快速建立時間特性，非常適合精密信號處理應用。常見應用場景包括便攜式儀器儀表、醫(yī)療設備、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)以及工業(yè)控制等對功耗和精度要求較高的場合。其低噪聲和低輸入偏置電流特點使其在傳感器接口電路中表現(xiàn)優(yōu)異。在實際應用中，建議采用適當?shù)娜ヱ铍娙菀源_保穩(wěn)定工作，并根據(jù)具體需求選擇合適的供電電壓來優(yōu)化性能。設計時應注意避免輸入過載情況發(fā)生，以免影響長期穩(wěn)定性。

TLE2072IDR 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
集成電路 (IC)
家庭
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps
系列
Excalibur™
放大器類型
J-FET
電路數(shù)
2
輸出類型
-
轉換速率
45 V/µs
增益帶寬積
10MHz
-3db帶寬
-
電流 - 輸入偏壓
20pA
電壓 - 輸入偏移
1100µV
電流 - 電源
3.1mA
電流 - 輸出 / 通道
48mA
電壓 - 電源，單路/雙路(±)
4.5 V ~ 38 V，±2.25 V ~ 19 V
工作溫度
-40°C ~ 85°C
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SOIC
包裝
帶卷 (TR)

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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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