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產(chǎn)品型號(hào):NTMD2C02R2G
源漏極間雪崩電壓VBR(V):20
源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ):43
最大漏極電流Id(on)(A):5.200
通道極性:N/P溝道
封裝/溫度(℃):SOIC-8/-55 ~150
描述:2 A, 20 V,功率MOSFET
價(jià)格/1片(套):￥4.80


  來(lái)源:xiangxueqin
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