富士通微電子（上海）有限公司今天宣布可提供富士通微電子2兆位（Mbit）的FRAM存儲(chǔ)芯片，這是世界上批量生產(chǎn)的容量FRAM。富士通MB85R2001和MB5R2002非易失性存儲(chǔ)器具有高速數(shù)據(jù)寫入、低功耗并可提供大量寫周期等特征。它們是汽車導(dǎo)航系統(tǒng)、多功能打印機(jī)、測(cè)量?jī)x表及其它使用非易失性存儲(chǔ)器來(lái)存儲(chǔ)各種參數(shù)、記錄設(shè)備操作條件并安全保存信息的高端設(shè)備的理想選擇。

　　FRAM的高速數(shù)據(jù)寫入和大量可用寫周期使得其可以作在辦公設(shè)備中存儲(chǔ)計(jì)數(shù)或參數(shù)、記錄各種事項(xiàng)之用。FRAM有100億個(gè)讀/寫周期，這相當(dāng)于以每秒寫入30次的速率連續(xù)寫入10年。FRAM還可以在不使用電池的情況下存儲(chǔ)數(shù)據(jù)達(dá)10年以上。在如應(yīng)用于儀表等設(shè)備的過(guò)程中，富士通FRAM寫機(jī)制確保即使在臨時(shí)中斷電源時(shí)，也可將數(shù)據(jù)高速寫入FRAM，因此不致丟失有用數(shù)據(jù)。

　　MB85R2001的配置是256 K字 x 8位；MB85R2002的配置是128K字 x 16位。這兩種類型的讀訪問(wèn)周期均為100納秒（ns），讀/寫周期為150ns。 操作電壓為3-3.6V。

　　富士通微電子（上海）有限公司系統(tǒng)LSI產(chǎn)品市場(chǎng)部副總監(jiān)鄭國(guó)威先生表示：“FRAM技術(shù)非常適用于要求大量寫周期、低功耗和高速數(shù)據(jù)寫入的設(shè)備。這些新FRAM改進(jìn)了功能，能提供更大的存儲(chǔ)容量，以滿足新型汽車、儀表及其它設(shè)計(jì)的要求。新型FRAM還具備富士通1MbitFRAM的電氣特性，只需附加連接一個(gè)地址即可輕易移植到更高容量的版本。”

　　新型2Mbit FRAM產(chǎn)品具有與當(dāng)前生產(chǎn)的富士通1Mbit FRAM產(chǎn)品（MB85R1001和MB85R1002）相同的電氣特性和TSOP-48數(shù)據(jù)包。只需附加連接一個(gè)地址，即可移植到2Mbit產(chǎn)品上。因此，在同一個(gè)印刷電路板上，根據(jù)所需的存儲(chǔ)容量，我們可以選擇使用1Mbit或2Mbit的FRAM。

　　新型FRAM現(xiàn)提供48針TSOP，價(jià)格可具體咨詢。