IR推出D類音頻功率放大器參考設(shè)計IRAUDAMP4。與典型的電路設(shè)計相比，新型參考設(shè)計可幫助設(shè)計人員為適用于家庭影院應(yīng)用、放大器、樂器和汽車娛樂系統(tǒng)的所有中壓范圍的中高功率放大器節(jié)省50%的PCB占板面積。

　　IR 亞太區(qū)銷售副總裁曾海邦表示：“這種參考設(shè)計可在60W 、4Ω時提供0.004%的THD+N，顯示出IR先進的硅技術(shù)可讓用戶利用D類拓撲結(jié)構(gòu)獲得的音頻性能?！?/P>

　　與IR的200V數(shù)字音頻驅(qū)動IC IRS20955和IRF6645 DirectFET數(shù)字音頻MOSFET配合使用的IRAUDAMP4參考設(shè)計，是一種2通道、120W 半橋設(shè)計，在120W 、4Ω條件下可實現(xiàn)96%的效率。該設(shè)計也結(jié)合了多種關(guān)鍵保護功能，包括過流保護、過壓保護、欠壓保護、直流保護、過熱保護等。新設(shè)計還提供管理功能，例如用于前置放大器仿真信號處理的+/- 5V電源，用于D類柵極驅(qū)動級的 -B作參考的+12V電源 (Vcc)。這個2通道設(shè)計可擴展功率及通道數(shù)目，在正常運行情況下無需使用散熱器。

　　新參考設(shè)計基于的IRS20955(S)(TR)PbF音頻驅(qū)動IC設(shè)計，具有特別

為D類音頻放大器應(yīng)用設(shè)計的浮動PWM輸入。其雙向電流檢測可在無需外置分流電阻的情況下，在正及負的負載電流條件下監(jiān)測過流狀況。內(nèi)置的保護控制模塊可提供針對過流條件的安全保護程序和可編程復(fù)位定時器。內(nèi)置死區(qū)時間生成模塊則有助于的柵極開關(guān)，死區(qū)時間設(shè)置可提供更佳的音頻性能，例如較低的總諧波失真 (THD) ，以及較低的音頻背景噪聲。

　　配合新參考設(shè)計使用的IRF6645功率MOSFET，為IR DirectFET系列的成員。創(chuàng)新的DirectFET封裝技術(shù)通過減少引線電感提升了開關(guān)性能，并降低了EMI噪聲，從而增強了D類音頻放大器電路的性能。其較高的熱效率有助于實現(xiàn)在4Ω阻抗下的120W 運行，加上無需使用散熱器，所以不僅能縮小電路尺寸，更可在線路布局方面提供更大的靈活性，同時降低整個放大器系統(tǒng)成本。