現(xiàn)代通信系統(tǒng)電源設(shè)計 (圖)
出處:dai_weis 發(fā)布于:2007-04-16 16:55:34
---中低功率應(yīng)用(15~100W)通常使用低成本的單端正向或回掃拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)來設(shè)計電源模塊,而推挽式、半橋和全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)在功率更高的應(yīng)用(100~1000W)中很流行。中間總線架構(gòu)(IBA)是一種新型分布式總線標(biāo)準(zhǔn),它利用一種低成本的非穩(wěn)壓(開環(huán))中間總線式轉(zhuǎn)換器(IBC)將-48V通信總線轉(zhuǎn)換到+12V中間總線,從而通過使用低成本的負(fù)載點(POL)模塊簡化板上電源設(shè)計。
---美國國家半導(dǎo)體公司近發(fā)布了一系列新的高壓電源轉(zhuǎn)換數(shù)字特殊應(yīng)用集成電路(ASIC),即LM5000系列,該系列提供了多種脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制器驅(qū)動器芯片組,用于這些的電源系統(tǒng)設(shè)計中。這些芯片能承受高達100V的輸入電壓,滿足了通信系統(tǒng)電壓瞬態(tài)規(guī)范的應(yīng)力限制。其開關(guān)頻率超過1MHz,與現(xiàn)有的解決方案相比,提高了電源效率,并成為眾多電源應(yīng)用的基準(zhǔn)。該系列從低成本的中功率正向拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)(使用LM5025電壓模式有源鉗位PWM控制器),到中功率IBA轉(zhuǎn)換器(使用LM5033半橋或推挽PWM),再到、功率的級聯(lián)式電流饋電拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)(由LM5041和LM5100控制器驅(qū)動器芯片組支持),覆蓋了所有的功率級別。
---新型IBA電源系統(tǒng)方法需要兩級轉(zhuǎn)換:首先是非穩(wěn)壓隔離級,然后是多個緊密調(diào)節(jié)的負(fù)載點板上安裝的DC/DC電源模塊。隔離級(稱作中間總線轉(zhuǎn)換器)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)一般是開環(huán)、非穩(wěn)壓、自由運行“直流變壓器”,被選擇用來隔離和降低總線電壓,同時保證低成本和高功率轉(zhuǎn)換效率(大于95%)。雙輸出LM5033 PWM控制器和LM5100半橋驅(qū)動器構(gòu)成一個理想的芯片組解決方案,能將這些中間總線轉(zhuǎn)換器設(shè)計中需要的外部元件成本和數(shù)量降至。
---以典型的通信電源總線轉(zhuǎn)換器設(shè)計中的LM5033/LM5100芯片組為例,在該設(shè)計中,40~60V輸入總線電壓通過一個隔離變壓器,向下轉(zhuǎn)換至10~15V中間總線電壓,并分配至下游安裝在板上的負(fù)載點模塊中。通過維持LM5033雙控制器的輸出在一個恒定的50%占空比,實現(xiàn)了的電源效率,這樣做降低了開關(guān)FET和同步整流器上的電流和電壓應(yīng)力,同時改善了變壓器的線圈使用率。
---IBA兩級架構(gòu)的競爭對手是更傳統(tǒng)、使用回歸或正向拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的單級隔離電源。與那些用于IBA方法的緊密調(diào)節(jié)負(fù)載點模塊相比,這些電源雖然提供了富有競爭力的成本和電源效率,但很難在多個輸出維持良好的穩(wěn)壓。
---與標(biāo)準(zhǔn)的正向轉(zhuǎn)換器相比,有源鉗位正向轉(zhuǎn)換器提供了更高的效率,而且在中功率應(yīng)用(50~200W)中更受歡迎。有源鉗位正向轉(zhuǎn)換器采用了一個有源復(fù)位FET和電容器,在損耗的情況下使復(fù)位。鉗位電容器捕獲磁化能量和釋放能量,并把它們返回源極,從而提高了電源轉(zhuǎn)換效率。
---描繪了典型的48V單級通信電源設(shè)計中的LM5025有源鉗位正向控制器,其工作輸入電壓范圍是36~75V,額定輸出在3.3V時可高達100W。該控制器的兩路輸出直接驅(qū)動N通道功率MOSFET和P通道復(fù)位MOSFET。這兩路驅(qū)動器輸出的大小不同,主輸出產(chǎn)生較大的3A門極驅(qū)動峰值電流,其目的是迅速開關(guān)大功率MOSFET以便降低開關(guān)損耗。復(fù)位MOSFET的輸出要小得多,這是因為它只傳導(dǎo)磁化電流,因此門極驅(qū)動器的峰值電流僅為1A。要實現(xiàn)的效率,兩路門極驅(qū)動器輸出之間的時序延遲就甚為關(guān)鍵,而LM5025控制器就具備了這樣的可編程功能。
---對于輸出電壓較低的應(yīng)用方面,就有必要使用同步整流器以實現(xiàn)較高的整體電源效率。有源復(fù)位方案適合使用同步整流器,這是因為同步整流器可以直接通過次級變壓器自我驅(qū)動,如所示。
---展示了LM5041級聯(lián)式控制器和LM5100半橋驅(qū)動器組合而成的芯片組,用于設(shè)計雙級級聯(lián)式降壓饋電轉(zhuǎn)換器。該轉(zhuǎn)換器包含一個高壓降壓前級穩(wěn)壓器,用于在推挽電源變壓器級維持一個固定的電壓,這個變壓器級被用作“直流變壓器”,類似前文所述的IBC。通過設(shè)置變壓器匝數(shù)比,將預(yù)穩(wěn)壓電壓降至終的輸出電壓。目前生產(chǎn)的級聯(lián)式轉(zhuǎn)換器能進行緊密的線路穩(wěn)壓,其線路輸入電壓范圍寬達4:1甚至更高。它還能提供優(yōu)異的輸出負(fù)載瞬時響應(yīng),同時消除了輸出濾波器電感器和電流傳感電阻器,這是降低成本和復(fù)雜性的另一個優(yōu)點。它的輸出電路具備回掃穩(wěn)壓器的簡單性和其他優(yōu)點。去掉輸出濾波電感器,便縮短了加載階躍變化的延遲,并且無需采用引起電壓回路錯誤的電感器。推挽直流變壓器持續(xù)在的50%占空比上驅(qū)動,從而產(chǎn)生連續(xù)不斷的電流至輸出端。這樣做不但提高了隔離變壓器的使用率,同時也降低了輸出元件的應(yīng)力和干擾,使級聯(lián)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)非常適合于高輸出功率的應(yīng)用。
---展示了推挽MOSFET漏極波形和降壓級開關(guān)節(jié)點(Vsw)。當(dāng)兩個漏極均為低電平時,交迭時間便會顯示出來。推挽級的工作切換頻率是降壓級的一半。
---展示了雙級多輸出數(shù)字用戶環(huán)路(DSL)的電源應(yīng)用,它使用了由LM5030推挽控制器驅(qū)動的一個功率較低的多輸出隔離變壓器,加上LM5642雙輸出電流模式降壓控制器。該電源提供了線路驅(qū)動器和放大器的兩種模擬電壓(典型值為±12V),以及數(shù)字ASIC所需的幾種較低電壓(+5V、+3.3V、+1.8V、+1.5V)。LM5030被用作推挽轉(zhuǎn)換器的中心部件,把48V輸入電壓轉(zhuǎn)換成±12V,同時提供電絕緣。LM5642控制器構(gòu)成負(fù)載點同步降壓轉(zhuǎn)換器,接收來自中間總線軌的+12V電力,并產(chǎn)生用于xDSL卡電子器件的多路低壓輸出。高性能雙輸出LM5642降壓控制器的每條通道只需要一對FET、一個小型輸出電感器和輸出電容器,以及幾個電阻器和電容器,構(gòu)成了高效率、低成本的IBA解決方案。
---下面的表1列出了美國國家半導(dǎo)體公司的一些新型高壓ABCD(模擬雙極CMOS DMOS)技術(shù)系列和應(yīng)用,它們具有充足的擊穿電壓,有利于簡化通信電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計。被稱為ABCDXV1和ABCDXV2的兩種新技術(shù)增強了N通道DMOS功率晶體管、高壓PMOS器件和結(jié)隔離二極管的擊穿電壓,使它們能夠承受高達100V的直流輸入工作電壓,以便滿足通信電力系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)中的瞬態(tài)電壓規(guī)范。這兩種新型平臺(XV1和XV2)是基于現(xiàn)有的45V ABCD150技術(shù)平臺,并分別提供80V和 100V擊穿電壓。
---利用美國國家半導(dǎo)體公司LM5000系列中的多種新型高壓高性能電源管理芯片組,可以迅速組裝通信用分布式電源總線架構(gòu)和轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。從這些產(chǎn)品中挑選用于電源設(shè)計的產(chǎn)品時,需要考慮的平衡因素包括輸入電壓范圍、預(yù)期輸出數(shù)量、整體系統(tǒng)的電源效率要求,以及允許的卡的尺寸和面積大小?,F(xiàn)代的先進高壓工藝技術(shù)促進了PWM控制器、開關(guān)穩(wěn)壓器和功率MOSFET門級驅(qū)動器的進步,現(xiàn)在這些元件可以被迅速組裝,構(gòu)成輕巧而高效的DC/DC電源模塊。
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