Infineon CMOS單芯片六頻收發(fā)器
出處:ljxlike 發(fā)布于:2007-04-28 10:07:55
英飛凌科技公司(Infineon)近日在2005年長灘國際微波研討會上宣布,專為通用移動通信系統(tǒng)(UMTS)應(yīng)用開發(fā)的首款CMOS單芯片射頻(RF)收發(fā)器樣品現(xiàn)已供貨。新的SMARTi 3G是首款支持目前用于世界不同地區(qū)的UMTS全部6個頻段的RF收發(fā)器。裝有SMARTi 3G的UMTS電話可在歐洲、亞洲、北美和日本使用。
對于基站和移動設(shè)備之間基于HSDPA(高速下行分組接入)的下行數(shù)據(jù)容量而言,SMARTi 3G是首款符合HSDPA第八類規(guī)范的芯片,其數(shù)據(jù)傳輸率為其他RF收發(fā)器的兩倍,達(dá)到了7.2Mbit/s。此外,SMARTi 3G的封裝尺寸僅為5mm×5mm,比UMTS單頻RF收發(fā)器的封裝尺寸小30%——英飛凌SMARTi U的封裝尺寸為6.5mm×5.5mm。
SMARTi 3G使手機(jī)制造商能夠開發(fā)面向美國新興UMTS市場的解決方案,在該地區(qū),W-CDMA和GSM共享相同頻段。即使在同時推出UMTS和GSM服務(wù)的情況下,1900MHz頻段(頻段II)和850MHz頻段(頻段V)仍可用于語音和高性能數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用。
SMARTi 3G是英飛凌大獲成功的UMTS收發(fā)器家族的成員。它可滿足W-CDMA UTRA FDD系統(tǒng)對于I到VI頻段的要求。SMARTi 3G具有與上一代單頻產(chǎn)品SMARTi U相同的接口,與大多數(shù)現(xiàn)有基帶系統(tǒng)高度兼容。它采用英飛凌標(biāo)準(zhǔn)130納米 CMOS處理技術(shù)制造而成,外殼采用81針和0.5mm間距的單PG-VVFSGA(超細(xì)間距半球柵陣列)綠色(無鉛、無鹵素)封裝,工作電壓為2.7V-3.0V。
SMARTi 3G目前已開始樣品出貨,預(yù)計2006年年初開始批量供貨。部分手機(jī)制造商已開始設(shè)計基于SMARTi 3G的新一代手機(jī)。
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