首款速率高達(dá)4.8Gbps的DDR2 FB-DIMM誕生
出處:zab 發(fā)布于:2011-09-02 16:41:24
2005年8月26日,北京訊——今天,在舊金山召開的英特爾開發(fā)商論壇(IDF)上,的內(nèi)存產(chǎn)品供應(yīng)商英飛凌科技公司(FSE/NYSE:IFX)宣布,該公司正在推出雙數(shù)據(jù)速率2(DDR2)全緩沖內(nèi)存模塊(FB-DIMM)樣品,英飛凌是業(yè)界能設(shè)計(jì)和生產(chǎn)FB_DIMM所有關(guān)鍵部件的公司。容量在512MB到4GB之間的新型FB-DIMM,基于英飛凌出品的內(nèi)存緩沖(AMB)芯片、DDR2 DRAM芯片及其自主開發(fā)的散熱器。另外,英飛凌還為其他FB-DIMM生產(chǎn)商提供AMB邏輯芯片,并且已經(jīng)將樣品發(fā)給了批客戶。
日前,英飛凌科技(Infineon Technologies)公司宣布開始提供業(yè)界僅有的雙倍數(shù)據(jù)率2全緩沖雙列直插存儲(chǔ)器模塊(DDR2 FB-DIMM)樣片,所有的關(guān)鍵元件都由英飛凌自行設(shè)計(jì)和制造。新款FB-DIMM密度在512MB至4GB,基于英飛凌提供的先進(jìn)存儲(chǔ)器緩存(AMB)芯片、DDR2 DRAM芯片和專有散熱器。
FB-DIMM把現(xiàn)行寄存式DIMM的并行結(jié)構(gòu)變成了串行點(diǎn)到點(diǎn)連接。這將消除新一代服務(wù)器內(nèi)存容量增加與速度升級(jí)導(dǎo)致的吞吐量瓶頸。英飛凌設(shè)計(jì)生產(chǎn)的AMB,是一個(gè)高度復(fù)雜的邏輯芯片,它將控制點(diǎn)到點(diǎn)連接,代AMB能提供4.8Gbps的數(shù)據(jù)速率來(lái)實(shí)現(xiàn)與傳輸速度高達(dá)800Mbps 的DDR2 DRAM的直接高速鏈接。除了用于自有模塊之外,英飛凌還為其他FB-DIMM生產(chǎn)商提供AMB芯片,從而推進(jìn)新一代服務(wù)器內(nèi)存的市場(chǎng)滲透。
由于可與DDR2 DRAM高速鏈接直接接口,AMB復(fù)雜邏輯芯片能夠提供4.8Gbps的數(shù)據(jù)速率,而代DDR2 DRAM的速率則在800Mbps級(jí)別以下。除了使用自己的模塊以外,英飛凌也向其它FB-DIMM制造商提供此款A(yù)MB芯片。
作為FB-DIMM開發(fā)領(lǐng)域的先驅(qū),英飛凌在2004年8月推出了業(yè)內(nèi)款A(yù)MB測(cè)試芯片,并在2005年2月的IDF論壇上成功展示了DDR2平臺(tái)上的系統(tǒng)啟動(dòng)。今天宣布的這代FB-DIMM將運(yùn)用速度級(jí)別在553和667Mbps的DDR2 DRAM,今后將進(jìn)一步提升到800 Mbps。
FB-DIMM
定制的FB-DIMM樣片密度分別有512MB、1GB、2GB和4GB,分別基于512Mb和1Gb的DDR2 533和DDR2 667。英飛凌推出的數(shù)據(jù)速率達(dá)4.8Gbps的AMB芯片采用665球高性能BGA封裝?,F(xiàn)在該產(chǎn)品也有樣品提供。
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