ARM Cortex-M3 32位微控制器新增一款512KB閃存產(chǎn)品
出處:電子工程專輯 發(fā)布于:2014-04-02 11:53:49
導(dǎo)讀:目前L1系列共有三個產(chǎn)品線合70余款產(chǎn)品,其超低功耗和存儲容量的組合在市場上堪稱,閃存和RAM容量分別高達(dá)512KB和80KB.意法半導(dǎo)體STM32 L1系列超低功耗ARM Cortex-M3 32位微控制器新增一款512KB閃存產(chǎn)品。
新產(chǎn)品采用意法半導(dǎo)體獨有的超低泄漏電流的110納米CMOS制造工藝和優(yōu)化的系統(tǒng)架構(gòu),工作能耗極低,目標(biāo)應(yīng)用瞄準(zhǔn)高成本效益的嵌入式設(shè)計,適用于健身、醫(yī)療、穿戴式設(shè)備和工業(yè)/電表等電池供電的聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品。
L1系列的主要特性有高性能ARM Cortex-M3 32位內(nèi)核:在32MHz時高達(dá)33 DMIPS;引腳對引腳和軟件與上一代STM32 L系列兼容;在32MHz時,運行模式動態(tài)功耗257μA/MHz;在4MHz時,低至177μA/MHz;兩個超低功耗模式:在SRAM內(nèi)容保留時,功耗低至435nA;真正的嵌入式EEPROM;雙區(qū)閃存,RWW讀寫同步功能使其支持具有失效保護(hù)功能的固件快速更新和恢復(fù)。
新產(chǎn)品繼承STM32 L1優(yōu)勢,包括電壓調(diào)節(jié)、靈活的時鐘樹內(nèi)置低功耗多速內(nèi)部振蕩器(multi-speed internal,MSI)和-40℃至+85℃的工作溫度范圍,低工作模式下工作溫度高達(dá)105℃,同時意法半導(dǎo)體的新110納米制造工藝在25℃至+105℃溫度范圍內(nèi)取得工業(yè)的功耗變化。
為加快軟硬件開發(fā),STM32 L1 512KB配備一個STM32 Nucleo擴(kuò)展板。新的原型開發(fā)板具有mbed功能,支持Arduino接口,同時還提供意法半導(dǎo)體Morpho擴(kuò)展排針,可連接微控制器的所有片上周邊外設(shè)。
作為STM32產(chǎn)品系列的一員,新產(chǎn)品充分利用了意法半導(dǎo)體為上一代超低功耗產(chǎn)品開發(fā)的所有軟件庫和開發(fā)工具,方便設(shè)計人員輕松移植現(xiàn)有應(yīng)用。STM32L151、STM32L152和STM32L162三個系列現(xiàn)已量產(chǎn)
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