音頻產(chǎn)品系統(tǒng)產(chǎn)品中會(huì)使用到多種多樣的運(yùn)算放大器，ADC 和 DAC 等器件，這些器件有時(shí)候不僅需要正電源軌進(jìn)行供電，還會(huì)需要負(fù)電源軌進(jìn)行供電（例如常見(jiàn)的負(fù)電壓值有 -5V，-12V 和 -15V 等），且對(duì)供電電源軌的噪聲也相當(dāng)有要求。除了噪聲要求之外，根據(jù)音頻產(chǎn)品的形態(tài)分類，電源軌部分的設(shè)計(jì)還會(huì)考慮效率，PCB 面積，成本等等因素。例如，帶電池的產(chǎn)品中希望電源軌的高效率以延遲電池的使用時(shí)長(zhǎng)； 手持式 / 便攜式產(chǎn)品中希望電源軌的外圍電路盡可能的簡(jiǎn)單以減小 PCB 面積從而滿足產(chǎn)品的體積要求。

　　生成正電源軌的不同方案已經(jīng)為大家所熟知，因此這篇博客主要跟大家分享一下不同的負(fù)電源軌生成方案，通過(guò)對(duì)比不同方案的優(yōu)缺點(diǎn)，來(lái)幫助大家選擇到適合自己產(chǎn)品的低噪聲，高效率的負(fù)電源軌設(shè)計(jì)方案。

　　目前市面上可見(jiàn)的幾種生成負(fù)電源軌的方案有：電荷泵芯片方案，使用升壓芯片結(jié)合電荷泵電路的方案，降壓芯片 VOUT 與 GND 反接方案，反向 BUCK-BOOST 芯片方案以及反向 BUCK 芯片方案 。其中反向降壓芯片方案為 TI 方案。

　　1)      電荷泵芯片方案：

　　電荷泵芯片通常內(nèi)部組成主要為電容和開(kāi)關(guān)，通過(guò)開(kāi)關(guān)的開(kāi)啟關(guān)閉來(lái)控制電荷泵內(nèi)部電容的充放電（即開(kāi)關(guān)電容）來(lái)產(chǎn)生負(fù)輸出電壓。以下為 LM2776 的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖為例，在充電階段，S1 與 S3 開(kāi)關(guān)閉合 （S2 和 S4 開(kāi)關(guān)為斷開(kāi)狀態(tài)），開(kāi)關(guān)電容被連接在輸入電壓與地之間, 充電電容被充電到輸入電壓 VIN；在放電階段，S2 和 S4 開(kāi)關(guān)閉合 （S1 和 S3 為斷開(kāi)狀態(tài)），此時(shí)開(kāi)關(guān)電容的陽(yáng)極接地，陰極接 VOUT，若負(fù)載電流為 0，VOUT 即為 -VIN。若負(fù)載電流不為 0，計(jì)算 VOUT 的值還需考慮 MOSFET 開(kāi)關(guān)的寄生電阻，電容的 ESR 以及電容充放電時(shí)的電荷損失等。

　　電荷泵芯片產(chǎn)生負(fù)電源軌的外圍電路也很簡(jiǎn)單，不需要電感元件，只需要幾個(gè)常見(jiàn)的小電容，因此電荷泵芯片方案的成本也比較低。不過(guò)，在使用電荷泵芯片方案產(chǎn)生負(fù)電源軌的方案時(shí)，有兩個(gè)點(diǎn)需要注意：

　　●  電荷泵芯片產(chǎn)生負(fù)電源軌的方案能驅(qū)動(dòng)的負(fù)載電流比較小，通常負(fù)載電流在 200mA 左右, 若驅(qū)動(dòng)大電流負(fù)載，VOUT 會(huì)急劇變化且芯片效率也會(huì)受影響。

　　●  使用普通的電荷泵芯片產(chǎn)生的負(fù)輸出電壓的紋波都會(huì)比較大，若需要給運(yùn)放等對(duì)紋波有要求的模擬器件供電，還需要在負(fù)輸出電壓后添加一顆 LDO 芯片，以提高 PSRR, 降低紋波及噪聲。

　　為了解決電荷泵芯片產(chǎn)生的負(fù)電源軌紋波大的問(wèn)題，德州儀器在 LM2776 的基礎(chǔ)上發(fā)展出了內(nèi)部集成了一顆負(fù) LDO 的電荷泵芯片， LM27761。下圖為 LM27761 的典型應(yīng)用示意圖：

　　您還可以通過(guò)使用 TI 在線仿真軟件 WEBENCH 來(lái)創(chuàng)建 LM27761 的定制設(shè)計(jì)，進(jìn)行線上仿真，生成可導(dǎo)出的 PCB 文件及核算 BOM。如下方為使用 WEBENCH 設(shè)計(jì)出來(lái)的 LM27761 參考電路，VIN=5.5V, VOUT=-5V, IOUT=50mA。

　　此外, 在某些應(yīng)用中，例如耳機(jī)等，敏感的模擬負(fù)載需要兩個(gè)供電電壓：一個(gè)正電壓和一個(gè)負(fù)電壓， 且兩個(gè)供電電源軌都需要干凈。如果電源輸入端（例如單節(jié)鋰電池）上存在一些噪聲，正電壓處也需要一個(gè) LDO 才能將噪聲降至可接受范圍。此時(shí)，LM27762 是個(gè)不錯(cuò)的選擇， 它的內(nèi)部同時(shí)集成了正 LDO 與負(fù) LDO，能同時(shí)產(chǎn)生正負(fù)兩個(gè)低噪的輸出電壓給敏感器件供電。下方是 LM27762 的典型電路, 更多應(yīng)用及設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)，您還可以參考 TI 的參考設(shè)計(jì) TIDA-01341 Hi-Fi 耳機(jī)放大器設(shè)計(jì)。

　　2)      使用升壓芯片結(jié)合電荷泵電路方案：

　　該方法需要使用到一顆通用升壓開(kāi)關(guān)電源芯片及一個(gè)由開(kāi)關(guān)電容和二極管搭成的電荷泵電路。如下是該方案的參考示意圖，使用了一顆性價(jià)比較高的升壓開(kāi)關(guān)電源芯片，TLV61048。當(dāng) TLV61048 的內(nèi)部開(kāi)關(guān)斷開(kāi)的時(shí)候，SW 引腳處電壓為：（輸出正輸出電壓 -D1 上的電壓），開(kāi)關(guān)電容被充電。當(dāng) TLV61048 的內(nèi)部開(kāi)關(guān)閉合的時(shí)候，電荷泵電路部分與 TLV61048 內(nèi)部開(kāi)關(guān)與地形成一個(gè)閉合環(huán)路，開(kāi)關(guān)電容開(kāi)始放電，負(fù)電壓輸出產(chǎn)生。如下方案中具體的電路設(shè)計(jì)及元器件選型可參考 TI 應(yīng)用文檔 SLVAEJ3。

　　此種方案的優(yōu)點(diǎn)是效率比使用電荷泵芯片的方案要高，不過(guò)與使用電荷泵芯片產(chǎn)生的負(fù)輸出電壓類似，它產(chǎn)生的負(fù)輸出電壓的紋波也會(huì)比較大。因此，在給對(duì)噪聲敏感的元器件供電時(shí)，需要在輸出的正負(fù)電源軌后方添加個(gè) LDO 來(lái)提高 PSRR 及減少噪聲。TPS7A39 是一顆雙通道，正負(fù)電壓輸入和正負(fù)電壓輸出，低噪聲，高 PSRR 的 LDO 芯片，可直接連接在使用升壓芯片結(jié)合電荷泵電路產(chǎn)生的正負(fù)電壓之后。

　　3)      使用降壓開(kāi)關(guān)電源芯片 VOUT 與 GND 反接方案：

　　使用降壓開(kāi)關(guān)電源芯片 VOUT 與 GND 反接的方法是為常見(jiàn)的，只需使用一顆通用的降壓開(kāi)關(guān)電源芯片，把 VOUT 與 GND 反接即可。下方該方案的參考示意圖中使用了一顆通用的 TI 降壓開(kāi)關(guān)電源芯片， 具有寬輸入電壓范圍，內(nèi)部環(huán)路補(bǔ)償?shù)?TPS54x02 家族芯片。在使用降壓開(kāi)關(guān)電源芯片 VOUT 與 GND 反接方案的時(shí)候，有幾個(gè)點(diǎn)需要格外注意：

　　●  在選擇降壓開(kāi)關(guān)電源芯片的時(shí)候，應(yīng)當(dāng)確認(rèn)該芯片的輸入及輸出電壓的可承受范圍范圍以及考慮輸出電流的可承受范圍。當(dāng)降壓開(kāi)關(guān)電源芯片被用作反向電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的時(shí)候，此降壓開(kāi)關(guān)電源芯片的輸入范圍會(huì)減小。

　　●  當(dāng)使用降壓開(kāi)關(guān)電源芯片 VOUT 與 GND 反接方案的時(shí)候，右半邊平面零點(diǎn)會(huì)增加電路的不穩(wěn)定性，為了避免內(nèi)部環(huán)路補(bǔ)償帶來(lái)的影響，提高電路系統(tǒng)的穩(wěn)定性，輸出電容及電感的選擇需要格外謹(jǐn)慎。

　　詳細(xì)的計(jì)算步驟可參考 TI 應(yīng)用文檔 SLVA933 以及 TI 的參考設(shè)計(jì) TIDA-01457 適用于小型低噪聲系統(tǒng)的 3V 至 11.5V 輸入電壓、-5V 輸出電壓、1.5A 反相電源模塊參考設(shè)計(jì)。此方法產(chǎn)生的負(fù)電源軌紋波與所選擇的降壓開(kāi)關(guān)電源芯片有直接關(guān)系，選擇低紋波高性能的降壓開(kāi)關(guān)電源芯片，則產(chǎn)生的負(fù)輸出電壓也會(huì)比較低；若選用高性價(jià)比的通用降壓開(kāi)關(guān)電源芯片，紋波會(huì)比較大，建議給對(duì)噪聲有要求的敏感元器件供電時(shí)，也接一個(gè) LDO。

　　4)     反向 DC/DC 芯片方案：

　　除了電荷泵電源芯片方案能直接使用單顆芯片來(lái)產(chǎn)生負(fù)輸出電壓，TI 還有另外兩個(gè)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)能直接生成負(fù)輸出電壓的單顆芯片方案：反向 BUCK-BOOST 芯片和反向 BUCK 芯片，其中反向 BUCK 芯片為 TI 芯片。

　　●  反向 BUCK-BOOST 芯片推薦： TPS63700:

　　- 可調(diào)節(jié)輸出至 -15V

　　- 輸入電壓范圍：2.7V 至 5.5V

　　- 可到 360mA 的輸出電流

　　- 高達(dá) 84%的效率

　　-1.4MH 固定頻率 PWM 工作模式

　　- 過(guò)溫保護(hù)

　　●  反向 BUCK 芯片推薦：TPS63710

　　- 輸入電壓范圍：3.1V 至 14V

　　- 輸出電壓范圍：-1V 至 -5.5V

　　- 輸出電流為 1A

　　- 效率高達(dá) 91%

　　- 低噪聲：22uVRMS (10Hz 至 100KHz)

　　-1.5MHz 固定頻率 PWM 模式

　　-|VOUT| < 0.7 x VIN

　　給對(duì)噪聲敏感的元器件提供負(fù)電壓軌時(shí)可直接使用 TPS63710，不需要再添加額外的 LDO 芯片。

　　下圖是使用 WEBENCH 線上仿真工具生成的 TPS63710 參考電路，VIN=12V, VOUT=-5V, IOUT=1A：

　　總結(jié)一下以上四種主要的負(fù)電源軌生成方案，電荷泵芯片方案是為簡(jiǎn)單且性價(jià)比較高的方案，但是適用于 200mA 以下負(fù)載電流的應(yīng)用場(chǎng)景；反向 BUCK-BOOST 芯片方案可輸出更大的負(fù)電壓及滿足更大的負(fù)載電流需求，它的效率也會(huì)比電荷泵芯片方案略高，不過(guò)單顆反向 BUCK-BOOST 芯片產(chǎn)生的負(fù)輸出電壓紋波及噪聲較大，給對(duì)噪聲敏感的運(yùn)放等元器件供電時(shí)，需要添加額外的負(fù) LDO；反向 BUCK 芯片方案是效率的方案，且不需要添加額外的 LDO 即可產(chǎn)生低噪且紋波小的負(fù)輸出電壓。每個(gè)方案都有每個(gè)方案的優(yōu)點(diǎn)，還需結(jié)合手中的產(chǎn)品的特性并加以斟酌。