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基于功率分析儀的有功功率測量原理和方法研究

出處:電子工程網(wǎng) 發(fā)布于:2020-09-11 13:34:37

  1. 簡介

  工業(yè)上的應用對于電壓及電流的量測,是基本卻也是  重要的。工業(yè)上的壓力、溫度、濕度等。許多測量都是透過感測器后將物理訊號變成電壓或者電流,再透過電子儀器的解析后顯示于儀表上,因此如何量測到精準的電壓、電流是相當重要的。本文主要是介紹HYCON HY16F198B Series晶片在電壓電流量測的應用。

  由于HY16F198B晶片內(nèi)部集成高  ΣΔADC,且ADC輸出頻率  快可以到達10kHz,并搭配內(nèi)部硬體LCD驅(qū)動,完成HY16F198B用于電壓電流的量測時,擁有相當高的精準度。

  2. 原理說明

  2.1. 量測原理:

  基于HY16F198B晶片實現(xiàn)電壓電流測量計的應用設計

  2.1.1. 電壓量測:

  電路圖如圖1所示,此電路為簡易分壓電路,分壓比例20:1,并由于程式設定關系,AIO0、AIO1兩端電壓差  為1.2V。因此量測電壓上限為20V。

  2.1.2. 電流量測:

  電路圖如圖2所示,分法為當電流源流過10Ω電阻時,產(chǎn)生電壓差。透過量測電壓差方式反推流經(jīng)電流大小。

  解析度分為外部解析度和內(nèi)部解析度,外部解析度為  量測的輸出電壓值與需要識別的  電壓值的電壓值之比,本應用  量測電壓值為10mV。

  一般我們以目視法認定的內(nèi)部解析度通常是指我們經(jīng)軟體處理后LCD顯示只有1格滾動時,此時滿量程的格數(shù)就是內(nèi)部解析度,其1格所代表的訊號約為2-3倍RMS Noise。

  內(nèi)外解析度之比越小,電壓電流表  越高,但內(nèi)外解析度之比是有限制的。比如滿量程壓差為1.1V,要做到2000 Count,內(nèi)外比為1:10的電壓電流表,如果不經(jīng)過信號放大,那  要處理的信號為1.1V/(2000×10)=55uV。而HY16F198B的ADC所能處理的  信號值大約為65nV,所以要完成此規(guī)格的量測示相當容易且精準的。

  ADC性能能否達到規(guī)格要求,通常是以RMS Noise來推算外部是否穩(wěn)定內(nèi)部解析度比值。對于開發(fā)電子產(chǎn)品而言,使用HY16F198B晶片其所能達到的  內(nèi)部解析度的瓶頸在于Input RMS Noise而不在于ADC的解析度。HY16F198B的ADC待測信號在由PGA、AD倍率調(diào)整器的放大后(PGA=32,ADGN=4),經(jīng)OSR=32768每秒輸出10筆ADC值的條件下,其Input RMS Noise約為65nV,但由于其Input Noise主要由Thermal Noise組成,所以如果我們透過平均的軟體處理是可以再將Input Noise進一步降低。

  如果我們使用8筆的軟體平均處理其Input RMS Noise考慮其他雜訊因素后,可達約為40nV,3倍RMS Noise代表約1格的滾動,即為120nV。在使用2.4V驅(qū)動電壓,1mV/V的滿量程時壓差可達2.4mV,所以在此情形下我們可以得到20000 Counts的內(nèi)部解析度。

  2.2. 控制晶片

  單片機簡介:HY16F系列32位元高性能Flash單片機(HY16F198B)

  HY16F系列32位元高性能Flash單片機(HY16F198B)

  特點說明:

  (1)採用  Andes 32位元CPU  N801處理器。

 ?。?)電壓操作范圍2.2~3.6V,以及-40℃~85℃工作溫度范圍。

 ?。?)支援外部16MHz石英震盪器或內(nèi)部16MHz高  RC震盪器。

  (3.1)運行模式 0.6mA@2MHz/2

 ?。?.2)待機模式 5uA@ LSRC=34KHz+IDLE Mode

 ?。?.3)休眠模式 2.5uA

  (4)程式記憶體64KB Flash ROM

  (5)資料記憶體8KB SRAM

 ?。?)擁有BOR and WDT功能,可防止CPU死機。

  (7)24-bit高精準度ΣΔADC類比數(shù)位轉(zhuǎn)換器

 ?。?.1)內(nèi)置PGA (Programmable Gain Amplifier)  可達128倍放大。

 ?。?.2)內(nèi)置溫度感測器TPS。

 ?。?)超低輸入雜訊運算放大器OPAMP。

 ?。?)16-bit Timer A

 ?。?0)16-bit TImer B模組俱PWM波形產(chǎn)生功能

  (11)16-bit TImer C 模組俱數(shù)位Capture/Compare 功能

 ?。?2)硬體串列通訊SPI模組

 ?。?3)硬體串列通訊I2C模組

 ?。?4)硬體串列通訊UART模組

 ?。?5)硬體RTC時鐘功能模組

 ?。?6)硬體Touch KEY功能模組

  (17)硬體 LCD Driver 4x36,6x34

  3. 系統(tǒng)設計

  3.1. 硬體說明

  使用HY16F198B內(nèi)建ADC搭配外部電路進行電壓及電流量測,整體電路包含兩按鈕,分別是(模式選擇)、(測量)按鈕部分,搭配內(nèi)部硬體LCD Driver顯示量測數(shù)值。

 ?。ˋ) MCU:HY16F198B

  (B) 顯示方式: HY16F198B內(nèi)部硬體驅(qū)動4x36 LCD (LCD Driver Segment 4X36)

 ?。–) 電源電路:5.0V轉(zhuǎn)3.3V電源系統(tǒng)

  (D) 類比感測模組:內(nèi)部ADC

  (E) 線上燒錄與ICE連結(jié)電路,透過EDM的連接,可支援線上燒錄模擬。

  并擁有強大的C平臺IDE以及HYCON類比軟體分析工具與GUI等支援。

  3.2. 功能說明

  ADC內(nèi)部的PGA放大1倍,ADGN放大1倍,參考電壓由VDDA –VSS供給,則ΔVR_I=1.2V。

  3.2.1. 電壓量測

  電壓量測模式下,量測范圍為±20V,搭配電壓量測電路。顯示至1mV,精準度至10mV。

  3.2.2. 電流量測

  電流量測主要范圍為±110mA,搭配電流量測電路。顯示及量測精準度皆為0.1mA

  4. 操作流程

  4.1. 操作方法

  啟動后,首先將LCD全點亮,再進行初始化及Hycon字樣顯示。之后跳至模式選擇。

  4.1.1. 按鍵控制說明

  透過S2(模式按鈕)進行量測模式切換;S3(量測按鈕)代表開始量測。

  并且每次按鍵Buzzer都會發(fā)出聲音。

  4.1.2. 測量電壓模式

  20V即代表±20V量測(搭配外部量測電路)

  4.1.3. 測量電流模式

  110mA即代表±110mA量測(搭配外部量測電路)

  4.2. 程式流程

  4.2.1. Main Loop流程圖:

  4.2.2. 按鍵處理流程圖:

  4.2.3. LCD顯示處理流程圖:

  5. 技術(shù)規(guī)格

 ?。?) VDD=3.3V

 ?。?) 功耗:工作模式約2.24mA(HAO=4MHz,ADC Enable)

 ?。?) 量測精準度:電壓10(mV) 以及電流0.1(mA)

 ?。?) 適用范圍:量測電壓范圍(± 20V)

  量測電流范圍(± 110mA)

 ?。?) 工作溫度:-40℃~ +85℃

  6. 結(jié)果總結(jié)

  以HY16F198B為主控結(jié)合內(nèi)部高  、多通道輸入、快速ADC的量測。不論電壓或者電流的量測,相較于市售電表,不僅僅耗電量低于一般市售電表,在精準度上也有不輸市售電表的表現(xiàn)。HY16F198B內(nèi)部ADC不僅可用來量測電壓電流,也可以結(jié)合外部感測器進行其他量測,依然有相當不錯的表現(xiàn)。


關鍵詞:基于功率分析儀的有功功率測量原理和方法研究測量

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