開關(guān)模式電源（Switch Mode Power Supply，簡(jiǎn)稱SMPS），又稱交換式電源、開關(guān)變換器，是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置，是電源供應(yīng)器的一種。其功能是將一個(gè)位準(zhǔn)的電壓，透過不同形式的架構(gòu)轉(zhuǎn)換為用戶端所需求的電壓或電流。開關(guān)電源的輸入多半是交流電源（例如市電）或是直流電源，而輸出多半是需要直流電源的設(shè)備，例如個(gè)人電腦，而開關(guān)電源就進(jìn)行兩者之間電壓及電流的轉(zhuǎn)換。

　　開關(guān)損耗包括導(dǎo)通損耗和截止損耗。導(dǎo)通損耗指功率管從截止到導(dǎo)通時(shí)，所產(chǎn)生的功率損耗。截止損耗指功率管從導(dǎo)通到截止時(shí)，所產(chǎn)生的功率損耗。開關(guān)損耗（Switching-Loss）包括開通損耗（Turn-on Loss）和關(guān)斷損耗（Turn-of Loss），常常在硬開關(guān)（Hard-Switching）和軟開關(guān)（Soft-Switching）中討論。所謂開通損耗（Turn-on Loss），是指非理想的開關(guān)管在開通時(shí)，開關(guān)管的電壓不是立即下降到零，而是有一個(gè)下降時(shí)間，同時(shí)它的電流也不是立即上升到負(fù)載電流，也有一個(gè)上升時(shí)間。在這段時(shí)間內(nèi)，開關(guān)管的電流和電壓有一個(gè)交疊區(qū)，會(huì)產(chǎn)生損耗，這個(gè)損耗即為開通損耗。以此類比，可以得出關(guān)斷損耗產(chǎn)生的原因，這里不再贅述。開關(guān)損耗另一個(gè)意思是指在開關(guān)電源中，對(duì)大的MOS管進(jìn)行開關(guān)操作時(shí)，需要對(duì)寄生電容充放電，這樣也會(huì)引起損耗。

　　MOS管損耗的8個(gè)組成部分

　　在器件設(shè)計(jì)選擇過程中需要對(duì)MOSFET的工作過程損耗進(jìn)行先期計(jì)算（所謂先期計(jì)算是指在沒能夠測(cè)試各工作波形的情況下，利用器件規(guī)格書提供的參數(shù)及工作電路的計(jì)算值和預(yù)計(jì)波形，套用公式進(jìn)行理論上的近似計(jì)算）。

　　MOSFET 的工作損耗基本可分為如下幾部分：

　　1 導(dǎo)通損耗Pon

　　導(dǎo)通損耗，指在 MOSFET 完全開啟后負(fù)載電流（即漏源電流） IDS（on）（t）在導(dǎo)通電阻RDS（on）上產(chǎn)生之壓降造成的損耗。

　　導(dǎo)通損耗計(jì)算

　　先通過計(jì)算得到 IDS（on）（t）函數(shù)表達(dá)式并算出其有效值 IDS（on）rms，再通過如下電阻損耗計(jì)算式計(jì)算：

　　Pon=IDS（on）rms2? RDS（on）? K ? Don

　　說明

　　計(jì)算 IDS（on）rms時(shí)使用的時(shí)期僅是導(dǎo)通時(shí)間 Ton ，而不是整個(gè)工作周期 Ts ； RDS（on） 會(huì)隨 IDS（on）（t）值和器件結(jié)點(diǎn)溫度不同而有所不同，此時(shí)的原則是根據(jù)規(guī)格書查找盡量靠近預(yù)計(jì)工作條件下的 RDS（on） 值（即乘以規(guī)格書提供的一個(gè)溫度系數(shù) K ）。

　　2 截止損耗Poff

　　截止損耗，指在 MOSFET 完全截止后在漏源電壓 VDS（off）應(yīng)力下產(chǎn)生的漏電流 IDSS造成的損耗。

　　截止損耗計(jì)算

　　先通過計(jì)算得到 MOSFET 截止時(shí)所承受的漏源電壓 VDS（off） ，在查找器件規(guī)格書提供之 IDSS ，再通過如下公式計(jì)算：

　　Poff=VDS（off）? IDSS?（ 1-Don）

　　說明

　　IDSS 會(huì)依 VDS（off） 變化而變化，而規(guī)格書提供的此值是在一近似 V（BR）DSS條件下的參數(shù)。如計(jì)算得到的漏源電壓 VDS（off）很大以至接近 V（BR）DSS則可直接引用此值，如很小，則可取零值，即忽略此項(xiàng)。

　　3 開啟過程損壞

　　開啟過程損耗，指在 MOSFET 開啟過程中逐漸下降的漏源電壓 VDS（off_on）（t）與逐漸上升的負(fù)載電流（即漏源電流） IDS（off_on）（t）交叉重疊部分造成的損耗。

　　開啟過程損耗計(jì)算

　　開啟過程 VDS（off_on）（t） 與 IDS（off_on）（t） 交叉波形如上圖所示。首先須計(jì)算或預(yù)計(jì)得到開啟時(shí)刻前之 VDS（off_end）、開啟完成后的 IDS（on_beginning）即圖示之 Ip1，以及 VDS（off_on）（t） 與 IDS（off_on）（t） 重疊時(shí)間 Tx。然后再通過如下公式計(jì)算：

　　Poff_on= fs?∫ TxVDS（off_on）（t） ? ID（off_on）（t） ? dt

　　實(shí)際計(jì)算中主要有兩種假設(shè) — 圖 （A） 那種假設(shè)認(rèn)為 VDS（off_on）（t）的開始下降與 ID（off_on）（t）的逐漸上升同時(shí)發(fā)生；圖 （B） 那種假設(shè)認(rèn)為 VDS（off_on）（t）的下降是從 ID（off_on）（t）上升到zui大值后才開始。圖 （C） 是 FLYBACK 架構(gòu)路中一 MOSFET 實(shí)際測(cè)試到的波形，其更接近于 （A） 類假設(shè)。針對(duì)這兩種假設(shè)延伸出兩種計(jì)算公式：

　?。ˋ） 類假設(shè) Poff_on=1/6 ? VDS（off_end） ? Ip1? tr ? fs

　?。˙） 類假設(shè) Poff_on=1/2 ? VDS（off_end） ? Ip1 ? （td（on） tr） ? fs

　?。˙） 類假設(shè)可作為zui惡劣模式的計(jì)算值。

　　說明：

　　圖 （C） 的實(shí)際測(cè)試到波形可以看到開啟完成后的 IDS（on_beginning）》》Ip1（電源使用中 Ip1 參數(shù)往往是激磁電流的 初始值）。疊加的電流波峰確切數(shù)值我們難以預(yù)計(jì)得到，其 跟電路架構(gòu)和器件參數(shù)有關(guān)。例如 FLYBACK 中 實(shí)際電流應(yīng) 是 Itotal=Idp1 Ia Ib （Ia 為次級(jí)端整流二極管的反向恢 復(fù)電流感應(yīng)回初極的電流值 -- 即乘以匝比， Ib 為變壓器初級(jí)側(cè)繞組層間寄生電容在 MOSFET 開關(guān)開通瞬間釋放的 電流 ） 。這個(gè)難以預(yù)計(jì)的數(shù)值也是造成此部分計(jì)算誤差的 主要原因之一。

　　4 關(guān)斷過程損耗

　　關(guān)斷過程損耗。指在 MOSFET 關(guān)斷過程中 逐漸上升的漏源電壓 VDS（on_off） （t）與逐漸 下降的漏源電流 IDS（on_off）（t）的交叉重 疊部分造成的損耗。

　　關(guān)斷過程損耗計(jì)算

　　如上圖所示，此部分損耗計(jì)算原理及方法跟 Poff_on類似。 首先須計(jì)算或預(yù)計(jì)得到關(guān)斷完成后之漏源電壓 VDS（off_beginning）、關(guān)斷時(shí)刻前的負(fù)載電流 IDS（on_end）即圖示之 Ip2 以及 VDS（on_off） （t）與 IDS（on_off）（t）重疊時(shí)間 Tx 。然后再通過 如下公式計(jì)算：

　　Poff_on= fs?∫ TxVDS（on_off）（t） ? IDS（on_off）（t） ? dt

　　實(shí)際計(jì)算中，針對(duì)這兩種假設(shè)延伸出兩個(gè)計(jì)算公式：

　?。ˋ） 類假設(shè) Poff_on=1/6 ? VDS（off_beginning） ? Ip2 ? tf ? fs

　?。˙） 類假設(shè) Poff_on=1/2 ? VDS（off_beginning） ? Ip2 ? （td（off） tf） ? fs

　　（B） 類假設(shè)可作為zui惡劣模式的計(jì)算值。

　　說明：

　　IDS（on_end） =Ip2，電源使用中這一參數(shù)往往是激磁電流 的末端值。因漏感等因素， MOSFET 在關(guān)斷完成后之 VDS（off_beginning）往往都有一個(gè)很大的電壓尖峰 Vspike 疊加其 上，此值可大致按經(jīng)驗(yàn)估算。

　　5 驅(qū)動(dòng)損壞Pgs

　　驅(qū)動(dòng)損耗，指柵極接受驅(qū)動(dòng)電源進(jìn)行驅(qū)動(dòng)造成之損耗

　　驅(qū)動(dòng)損耗的計(jì)算

　　確定驅(qū)動(dòng)電源電壓 Vgs后，可通過如下公式進(jìn)行計(jì)算：

　　Pgs= Vgs ? Qg ? fs

　　說明

　　Qg 為總驅(qū)動(dòng)電量，可通過器件規(guī)格書查找得到。

　　6 Coss電容的泄放損耗Pds

　　Coss電容的泄放損壞，指MOS輸出電容 Coss 截止期間儲(chǔ)蓄的電場(chǎng)能于導(dǎo)同期間在漏源極上的泄放損耗。

　　Coss電容的泄放損耗計(jì)算

　　首先須計(jì)算或預(yù)計(jì)得到開啟時(shí)刻前之 VDS，再通過如下公式進(jìn)行計(jì)算：

　　Pds=1/2 ? VDS（off_end）2? Coss ? fs

　　說明

　　Coss 為 MOSFET 輸出電容，一般可等于 Cds ，此值可通過器件規(guī)格書查找得到。

　　7 體內(nèi)寄生二極管正向?qū)〒p耗Pd_f

　　體內(nèi)寄生二極管正向?qū)〒p耗，指MOS體內(nèi)寄生二極管在承載正向電流時(shí)因正向壓降造成的損耗。

　　體內(nèi)寄生二極管正向?qū)〒p耗計(jì)算

　　在一些利用體內(nèi)寄生二極管進(jìn)行載流的應(yīng)用中（例如同步整流），需要對(duì)此部分之損耗進(jìn)行計(jì)算。公式如下：

　　Pd_f =IF? VDF ? tx ? fs

　　其中： IF 為二極管承載的電流量， VDF 為二極管正向?qū)▔航担?tx 為一周期內(nèi)二極管承載電流的時(shí)間。

　　說明

　　會(huì)因器件結(jié)溫及承載的電流大小不同而不同?？筛鶕?jù)實(shí)際應(yīng)用環(huán)境在其規(guī)格書上查找到盡量接近之?dāng)?shù)值。

　　8 體內(nèi)寄生二極管反向恢復(fù)損耗Pd_recover

　　體內(nèi)寄生二極管反向恢復(fù)損耗，指MOS體內(nèi)寄生二極管在承載正向電流后因反向壓致使的反向恢復(fù)造成的損耗。

　　體內(nèi)寄生二極管反向恢復(fù)損耗計(jì)算

　　這一損耗原理及計(jì)算方法與普通二極管的反向恢復(fù)損耗一樣。公式如下：

　　Pd_recover=VDR ? Qrr ? fs

　　其中： VDR 為二極管反向壓降， Qrr 為二極管反向恢復(fù)電量，由器件提供之規(guī)格書中查找而得。