該設(shè)計理念能夠以非?？斓乃俣汝P(guān)閉感性負載。當連接到負載（此處為 15mH + 10？）時，修改后的 基于 M2 的鉗位電路中的續(xù)流路徑將關(guān)斷時間縮短至 450μs。用一個簡單的續(xù)流二極管代替鉗位電路需要大約 4ms 來關(guān)閉負載。

在二極管續(xù)流電路中，負載兩端的電壓僅增加二極管正向傳導電壓，因此電流衰減為e -t 的函數(shù)。如果關(guān)斷 電流定義為飽和電流的 1%，典型續(xù)流二極管的關(guān)斷時間可由下式計算：

使用修改后的電路，通過增加鉗位電壓來縮短關(guān)斷時間。該電路為低側(cè)傳導和鉗位使用相同的 N 溝道功率 MOSFET 配置。

電阻器 R2 和 R3 用于為晶體管的柵極放電，以在電源出現(xiàn)故障時將其關(guān)閉。齊納二極管 D2 限制 M1 的柵極電壓。C2 和 C3 用于降低dV DS /dt，以避免閂鎖。M1 的柵極連接到控制信號以關(guān)閉或打開負載。只要負載電壓約為 50V，鉗位晶體管 M2 就會導通。二極管 D1 用于阻止 M2 的體二極管導通。二極管 D3 增加鉗位電壓，從而實現(xiàn)快速關(guān)斷。關(guān)閉時間由以下等式給出：

請注意，關(guān)斷時間隨V D3 （二極管 D3 的齊納鉗位電壓）線性下降。選擇 D3 的電壓，以便在 M1 或 M2 上不會發(fā)生雪崩事件。晶體管 M1 和 M2 的 V DS(max) 為 60V。R4 和 C4 構(gòu)成一個緩沖電路，用于抑制電感負載以及 M1 和 D1 的寄生電容引起的諧振引起的振蕩。