在開關(guān)電源應(yīng)用MOS管的時(shí)候，在很多電源設(shè)計(jì)人員的都將采用一套公式，質(zhì)量因數(shù)(柵極電荷QG ×導(dǎo)通阻抗RDS(ON))。來對(duì)mos管來驗(yàn)證。

    那么柵極電荷和導(dǎo)通阻抗很重要，這都是對(duì)電源的效率有直接的影響，主要是傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗。

    還有在電源中第二重要的是MOS管參數(shù)包括輸出電容、閾值電壓、柵極阻抗和雪崩能量。

    用于針對(duì)N+1冗余拓?fù)涞牟⑿须娫纯刂频腗OS管在ORing FET應(yīng)用中，ORing FET應(yīng)用設(shè)計(jì)人員顯然必需關(guān)注MOS管的不同特性，比如，在電源設(shè)計(jì)中，每個(gè)電源常常需求多個(gè)ORing MOS管并行工作，需求多個(gè)器件來把電傳播送給負(fù)載。在許多狀況下，設(shè)計(jì)人員必需并聯(lián)MOS管，以有效降低RDS(ON)。在 DC 電路中，并聯(lián)電阻性負(fù)載的等效阻抗小于每個(gè)負(fù)載單獨(dú)的阻抗值。比方，兩個(gè)并聯(lián)的2Ω 電阻相當(dāng)于一個(gè)1Ω的電阻 。因而，普通來說，一個(gè)低RDS(ON) 值的MOS管，具備大額定電流，就能夠讓設(shè)計(jì)人員把電源中所用MOS管的數(shù)目減至少。