GaN 功率晶體管具有高跨導和寬帶寬，可實現(xiàn)非?？焖俚?a target="_blank">開關(guān)轉(zhuǎn)換，即使在硬開關(guān)應用中也能實現(xiàn)極低的損耗。然而，快速開關(guān)和隨后的高 di/dt 和 dv/dt 可能對主 GaN 功率晶體管的設計和布局提出挑戰(zhàn)，其高跨導和寬帶寬允許非?？斓拈_關(guān)轉(zhuǎn)換，即使在硬開關(guān)應用。

    然而，快速開關(guān)和隨后的高 di/dt 和 dv/dt 可能會對主電源環(huán)路、柵極驅(qū)動和支持電路的設計和布局提出挑戰(zhàn)。這些系統(tǒng)挑戰(zhàn)不僅限于分立晶體管和驅(qū)動器，還影響那些具有共同封裝或集成柵極驅(qū)動功能的系統(tǒng)。本次研討會概述了各種高壓 GaN 功率晶體管類型、柵極驅(qū)動技術(shù)以及柵極驅(qū)動電路的隔離和供電方法。它還解決了開關(guān)速度與電路和 PCB 寄生阻抗的相互作用、可能出現(xiàn)的潛在問題以及如何解決這些問題。
    此外，我們還將介紹寄生阻抗的起源和影響、如何優(yōu)化環(huán)路電感以及如何使用銅平面和屏蔽將電流引導至所需路徑。了解并遵循這些指南將幫助您確保 GaN 設計取得成功。我們將介紹寄生阻抗的起源和影響、如何優(yōu)化環(huán)路電感以及如何使用銅平面和屏蔽將電流引導至所需路徑。了解并遵循這些指南將幫助您確保 GaN 設計取得成功。我們將介紹寄生阻抗的起源和影響、如何優(yōu)化環(huán)路電感以及如何使用銅平面和屏蔽將電流引導至所需路徑。了解并遵循這些指南將幫助您確保 GaN 設計取得成功。