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適用于 CSP GaN FET 的簡單且高性能的熱管理解決方案

出處:維庫電子市場網(wǎng) 發(fā)布于:2023-08-31 10:00:49

    功率器件的熱管理
    電力電子市場需要越來越小、更高效、更可靠的設(shè)備。滿足這些嚴格要求的關(guān)鍵因素是高功率密度(能夠減少解決方案的占地面積和成本)和出色的熱管理(能夠控制器件溫度)。功率半導(dǎo)體熱管理系統(tǒng)的三個主要要求如下:
    熱量應(yīng)以足夠低的熱阻從器件傳導(dǎo)到周圍環(huán)境,以防止結(jié)溫 (T J ) 升高超過指定限值。由于降額因素,T J通常低于數(shù)據(jù)表值。
    電源電路與周圍環(huán)境之間應(yīng)提供電氣隔離。
    應(yīng)吸收因材料熱膨脹系數(shù)不匹配而產(chǎn)生的熱致機械應(yīng)力。
    常見的功率器件熱管理系統(tǒng)如圖 1 所示。它包括散熱器(將功率半導(dǎo)體的熱量傳遞到周圍環(huán)境)和用于分隔金屬散熱器的電絕緣體(熱界面材料或 TIM)。從半導(dǎo)體結(jié)。由于大多數(shù)介電材料的導(dǎo)熱率較低,因此需要在電隔離和熱阻之間進行權(quán)衡。

    


    圖 1:常見的 CSP GaN FET 熱管理系統(tǒng)

    在實際系統(tǒng)中,功率器件通常采用由多個金屬和電介質(zhì)層組成的封裝,并安裝在也包含多層金屬和電介質(zhì)的 PCB 上。散熱器連接到該組件上,使其相當復(fù)雜。

關(guān)鍵詞:CSP GaN FET  

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