在不斷發(fā)展的便攜式設(shè)備領(lǐng)域，對(duì)更小、更高效和更強(qiáng)大的解決方案的持續(xù)需求是。實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的一個(gè)關(guān)鍵方面是優(yōu)化電池管理電路，而這正是 Alpha and Omega Semiconductor (AOS) 突破性的 MRigidCSP（模制剛性芯片級(jí)封裝）技術(shù)發(fā)揮作用的地方。
    AOS的 MRigidCSP 技術(shù)專為電池管理應(yīng)用而定制。這項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)旨在降低導(dǎo)通電阻，同時(shí)增強(qiáng)機(jī)械強(qiáng)度。AOS 初提供 MRigidCSP 及其 AOCR33105E，這是一款 12V 共漏極雙 N 溝道 MOSFET。AOCR33105E 具有 2.08 × 1.45 mm 的緊湊尺寸、超低導(dǎo)通電阻（V GS = 4.5 V時(shí)低至 3 mΩ ）以及 HBM 2 級(jí) (2 kV) 額定值的強(qiáng)大 ESD 保護(hù)。其獨(dú)特的共漏極配置（其中兩個(gè) MOSFET 共享一個(gè)公共漏極）對(duì)于電池管理應(yīng)用特別有價(jià)值，為便攜式電子設(shè)備中常見的細(xì)長(zhǎng) PCB 提供了節(jié)省空間的解決方案。
    AOS MOSFET 產(chǎn)品線總監(jiān) Peter Wilson 在接受《電力電子新聞》采訪時(shí)表示，AOS 的 MRigidCSP 技術(shù)是用于鋰離子電池管理的雙向 MOSFET 的創(chuàng)新方法，特別是在智能手機(jī)、平板電腦和超級(jí)移動(dòng)設(shè)備等移動(dòng)設(shè)備中。薄筆記本。與傳統(tǒng)的晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝 (WLCSP) 不同，在傳統(tǒng)的晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝 (WLCSP) 中，裸片充當(dāng)封裝并依賴厚基板來實(shí)現(xiàn)機(jī)械強(qiáng)度，而 MRigidCSP 將機(jī)械和電氣考慮因素分開。
    “MRigidCSP 允許基板變薄 [<1.35 mm]，從而降低寄生電阻并為高充電電流提供更低的電阻，”Wilson 說?！盀榱嗽?PCB 組裝和產(chǎn)品使用壽命期間保持機(jī)械強(qiáng)度，MRigidCSP 添加了保護(hù)元件，確保 MOSFET 的耐用性。這種封裝技術(shù)滿足了快速充電移動(dòng)應(yīng)用中對(duì)更小、高性能、雙向 MOSFET 不斷增長(zhǎng)的需求，將機(jī)械要求與電氣性能分離，以獲得結(jié)果?！?br>    在手機(jī)和筆記本電腦等消費(fèi)電子系統(tǒng)中，保護(hù)電路模塊 (PCM) 的關(guān)鍵組件用于管理鋰離子電池組的充電和放電，確保其安全高效運(yùn)行。PCM 由各種元件組成，包括電池保護(hù) IC、功率 MOSFET 和其他電子元件。
    PCM 中采用了兩個(gè)功率 MOSFET：一個(gè)用于充電，另一個(gè)用于放電。這些 MOSFET 通常是 N 溝道 MOSFET，因其低導(dǎo)通電阻而被選擇。它們以兩種配置串聯(lián)連接：
    配置 1：兩個(gè) MOSFET 的漏極相連。
    配置 2：兩個(gè) MOSFET 的源極相連。
    PCM 提供兩種將功率 MOSFET 與電池串聯(lián)的選項(xiàng)：
    低側(cè)放置：在此模式下，功率 MOSFET 位于電池的負(fù)極端，通常稱為“接地端”。這種配置有其優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)，具體取決于具體的系統(tǒng)要求。
    高側(cè)放置：在此模式下，功率 MOSFET 放置在電池的正極。這稱為“高端”配置，并且根據(jù)應(yīng)用的需求也有其自己的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。
    不同功率MOSFET背靠背連接模式及其布局的選擇是根據(jù)系統(tǒng)的具體要求進(jìn)行的。系統(tǒng)設(shè)計(jì)、安全考慮和效率目標(biāo)等因素會(huì)影響這些決策?？傮w而言，PCM 是確保消費(fèi)電子產(chǎn)品中鋰離子電池組正常運(yùn)行和保護(hù)的關(guān)鍵組件。

   

    圖 1：電池保護(hù)板電路圖（Alpha and Omega Semiconductor）
    便攜式設(shè)備中的電池管理
    便攜式設(shè)備的快速充電要求電池管理電路具有更低的功率損耗，因此需要超低電阻。傳統(tǒng)的 WLCSP 會(huì)產(chǎn)生很大的電阻，尤其是在使用背對(duì)背 MOSFET 時(shí)。減少基板厚度以降低電阻會(huì)損害機(jī)械強(qiáng)度，可能會(huì)在 PCB 組裝回流過程中引起問題。
    AOS 的 MRigidCSP 技術(shù)旨在應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，提供電氣性能改進(jìn)和穩(wěn)健性。它與高深寬比 CSP 芯片尺寸兼容，解決與電池管理應(yīng)用相關(guān)的生產(chǎn)問題。AOCR33105E采用的溝槽功率MOSFET技術(shù)設(shè)計(jì)。這種先進(jìn)的封裝結(jié)構(gòu)可確保增強(qiáng)的電池 MOSFET 在電路板制造過程中保持彈性，從而提供更高的性能和可靠性。
    MRigidCSP 的主要特性之一是能夠降低電池管理電路的導(dǎo)通電阻。更低的導(dǎo)通電阻意味著更少的功率損耗，這在快速充電時(shí)代尤其重要。
    “隨著快速充電應(yīng)用中電流的增加，雙向 MOSFET 需要具有較低的電阻，以降低功率損耗，”Wilson 說?！肮β蕮p耗增加了需要減少的額外熱量。因此，需要一種低歐姆、雙向、共漏極 MOSFET，同時(shí)保持較小的外形尺寸?！?br>    通過采用薄晶圓工藝，MRigidCSP 降低了共漏極 MOSFET 的寄生電阻。電阻的降低不僅可以加快充電速度，還可以確保 MOSFET 產(chǎn)生更少的熱量，從而防止損壞電池和其他組件。較低的電阻終會(huì)延長(zhǎng)電池的充電壽命，這對(duì)消費(fèi)者來說是一個(gè)重大的好處。
    技術(shù)特點(diǎn)
    減小芯片級(jí)封裝中的基板厚度通常會(huì)引起對(duì)機(jī)械強(qiáng)度的擔(dān)憂。然而，MRigidCSP 技術(shù)通過在薄晶圓上添加模制層來克服這一挑戰(zhàn)。這種創(chuàng)新方法有效地平衡了厚度的減小和必要的機(jī)械強(qiáng)度，確保封裝保持堅(jiān)固可靠。
    在標(biāo)準(zhǔn) WLCSP 中，襯底電阻可能是影響性能的重要因素。MRigidCSP 技術(shù)通過優(yōu)化封裝設(shè)計(jì)緩解了這一問題。Wilson 表示，標(biāo)準(zhǔn) WLCSP 依賴于芯片的總厚度來提高機(jī)械強(qiáng)度，而 MRigidCSP 采用薄晶圓和模塑層組合來實(shí)現(xiàn)機(jī)械強(qiáng)度和降低基板電阻。
    AOS 對(duì)質(zhì)量和可靠性的承諾在其 MRigidCSP 技術(shù)中得到體現(xiàn)。制造過程采用了的自動(dòng)化技術(shù)，以確保高產(chǎn)量和穩(wěn)健性。
    “AOS 工藝采用的自動(dòng)化制造技術(shù)，確保制造具有高產(chǎn)量和高可靠性，”Wilson 說。
    AOCR33105E 的 ESD 保護(hù)是確保便攜式設(shè)備安全和性能的重要功能。它可以防止在制造過程中和設(shè)備的整個(gè)使用壽命期間發(fā)生靜電放電事件，從而保護(hù)設(shè)備和用戶。

 

    圖 2：12V 共漏極雙 N 溝道 MOSFET（Alpha and Omega Semiconductor）