本文討論霍爾效應(yīng)集成電路如何提供非侵入式電流傳感技術(shù)以及對高電流水平的安全、隔離檢測，而不消耗與電阻電流傳感方法相關(guān)的大量功率浪費(fèi)（以及由此產(chǎn)生的熱量）。此外，霍爾效應(yīng)電流傳感提供載流導(dǎo)體的電氣隔離；因此，為電路、操作員等提供一個安全的環(huán)境。

　　霍爾效應(yīng)傳感器 IC 的電流感應(yīng)應(yīng)用仍在不斷增加；變得更加多樣化；隨著其他設(shè)計師努力保護(hù)系統(tǒng)、創(chuàng)建更可靠的“防彈”設(shè)備并解決任何安全問題，我們的產(chǎn)品也隨之?dāng)U展和發(fā)展。
　　背景及簡介
　　霍爾效應(yīng)的發(fā)現(xiàn)起源于 1879 年；然而，Edwin H. Hall 發(fā)現(xiàn)的任何有意義的應(yīng)用都需要等待 20 世紀(jì) 60 年代末首次出現(xiàn)的半導(dǎo)體集成。隨后，進(jìn)一步的進(jìn)步（特別是 20 世紀(jì) 90 年代的進(jìn)步）進(jìn)一步發(fā)展，功能集成更加全面，加上一系列不斷擴(kuò)展的專用霍爾傳感器 IC 類型。然而，磁傳感器電子器件的不斷進(jìn)步不斷增加對用于感測/檢測運(yùn)動、方向、位置和測量/監(jiān)測電流的低成本、可靠和“非接觸”霍爾效應(yīng)電路的需求。
　　霍爾效應(yīng)傳感器 IC（尤其是比例線性類型）是用于“開環(huán)”電流感應(yīng)設(shè)計的出色器件。然而，可實現(xiàn)的操作范圍、準(zhǔn)確度和精密度、頻率響應(yīng)等存在限制。由于許多潛在用戶不知道和/或忽視了使用霍爾效應(yīng) IC 的電流感測技術(shù)的優(yōu)點或缺點，因此本文致力于對“非侵入式”電流感測的基本技術(shù)進(jìn)行全面討論現(xiàn)已推出硅霍爾效應(yīng)器件 (HED)。
　　如果不使用開槽環(huán)形線圈來集中（和聚焦）感應(yīng)磁通場，大多數(shù)霍爾效應(yīng)電流感應(yīng)要求都不會產(chǎn)生足夠的磁場。低至中等電流（<≈ 15 安培）需要在開槽環(huán)形線圈（磁芯）上纏繞足夠的匝數(shù)，以感應(yīng)可用的磁通強(qiáng)度并產(chǎn)生合適的信號電壓。較高的電流水平（>15 至 20 安培）會產(chǎn)生磁場強(qiáng)度，使載流導(dǎo)體直接穿過環(huán)形線圈的中心（在這些較高的電流下無需匝數(shù)）。
　　需要使用線性霍爾效應(yīng)傳感器 IC 的寬（或連續(xù)）電流范圍要求的設(shè)計。然而，數(shù)字 HED 可以適應(yīng)過流保護(hù)和/或故障檢測設(shè)計。這篇有關(guān)用于感測交流和直流電流的 HED 的論文涵蓋了電流感測技術(shù)要點、器件參數(shù)、溫度穩(wěn)定性以及霍爾效應(yīng)電流感測的其他相關(guān)問題的示例和細(xì)節(jié)。