DDR3和DDR4是計(jì)算機(jī)內(nèi)存模塊的兩種標(biāo)準(zhǔn)，它們?cè)跀?shù)據(jù)傳輸速度、能效、密度等方面有所不同。以下是它們的主要特點(diǎn)：
　　DDR3（Double Data Rate 3）
　　數(shù)據(jù)傳輸速度: DDR3內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速度相對(duì)較慢，可達(dá)每秒1600兆次傳輸（MT/s）。
　　工作電壓: DDR3內(nèi)存通常工作在1.5V的電壓下。
　　密度: DDR3內(nèi)存模塊通常具有較低的密度，適用于早期的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。
　　時(shí)序延遲: DDR3內(nèi)存的時(shí)序延遲相對(duì)較高。
　　DDR4（Double Data Rate 4）
　　數(shù)據(jù)傳輸速度: DDR4內(nèi)存相比DDR3有更高的數(shù)據(jù)傳輸速度，可達(dá)每秒3200兆次傳輸（MT/s）。
　　工作電壓: DDR4內(nèi)存通常使用較低的工作電壓，為1.2V。
　　密度: DDR4內(nèi)存模塊通常具有更高的密度，可以提供更大的容量。
　　時(shí)序延遲: DDR4內(nèi)存通常具有更低的時(shí)序延遲，有助于提高內(nèi)存訪問(wèn)速度。
　　DDR3和DDR4是兩種不同的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，它們?cè)诙鄠€(gè)方面存在差異：
　　數(shù)據(jù)傳輸速度：
　　DDR3的數(shù)據(jù)傳輸速度相對(duì)較慢，可達(dá)每秒1600兆次傳輸（MT/s）。
　　DDR4具有更高的數(shù)據(jù)傳輸速度，可達(dá)每秒3200兆次傳輸（MT/s），這使得DDR4內(nèi)存具有更快的數(shù)據(jù)訪問(wèn)速度。
　　工作電壓：
　　DDR3內(nèi)存通常工作在1.5V的電壓下。
　　DDR4內(nèi)存使用更低的工作電壓，為1.2V，這有助于降低能耗并提高能效。
　　密度：
　　DDR4內(nèi)存模塊通常具有更高的密度，可以提供更大的容量。這使得DDR4內(nèi)存在處理大型數(shù)據(jù)集或運(yùn)行內(nèi)存密集型應(yīng)用時(shí)具有優(yōu)勢(shì)。
　　時(shí)序延遲：
　　DDR4內(nèi)存通常具有更低的時(shí)序延遲，有助于提高內(nèi)存訪問(wèn)速度。
　　架構(gòu)：
　　DDR4內(nèi)存使用了新的內(nèi)部架構(gòu)和技術(shù)，以提高性能和能效。