功率轉(zhuǎn)換器中使用的氮化鎵 (GaN) 器件具有多種優(yōu)勢(shì)，包括更高的效率、功率密度和高頻開關(guān)。橫向 GaN 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 功率器件在此類應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)了強(qiáng)勁的市場(chǎng)增長(zhǎng)。這種本質(zhì)上為耗盡模式的器件的柵極驅(qū)動(dòng)具有挑戰(zhàn)性，有許多解決方案可以將其轉(zhuǎn)變?yōu)榉€(wěn)健的增強(qiáng)模式操作。在本文中，我們總結(jié)了美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)CPES的 Bixuan Wang 和一個(gè)包括來(lái)自英國(guó)劍橋 GaN 器件的員工在內(nèi)的團(tuán)隊(duì)在 APEC 2024 會(huì)議上的演講。在這項(xiàng)工作中，研究了具有集成柵極接口和保護(hù)功能的 p 柵極 GaN HEMT 的柵極過(guò)壓穩(wěn)定性。
　　p 柵極 GaN HEMT 面臨的一些挑戰(zhàn)
　　在創(chuàng)建增強(qiáng)型 GaN 技術(shù)的各種選項(xiàng)中，p 柵極 GaN HEMT 已成為一種流行的器件選擇。在柵極金屬下添加摻雜鎂的 p 型層有助于將帶隙以及器件的閾值電壓 V th移至正范圍。該器件的肖特基金屬勢(shì)壘版本 (SP-HEMT) 已被許多器件制造商和代工廠商業(yè)化，電壓等級(jí)范圍從 15 到 650 V。該器件的 V th通常低于 2V。這種低 Vth 會(huì)使器件更容易受到噪聲的影響，尤其是這些器件能夠進(jìn)行的高頻、高壓擺率切換產(chǎn)生的瞬變。
　　器件的寄生開啟是漏極-柵極米勒電容耦合的風(fēng)險(xiǎn)。這種風(fēng)險(xiǎn)通常需要使用負(fù)關(guān)斷狀態(tài)柵極電壓 (V GS ) 驅(qū)動(dòng)。另一個(gè)限制來(lái)自開啟時(shí)使用更高電壓柵極驅(qū)動(dòng)所造成的可靠性問(wèn)題。柵極觸點(diǎn)通常在 V GS > 7 V 時(shí)開始導(dǎo)通。陷阱相關(guān)效應(yīng)會(huì)產(chǎn)生閾值電壓變化，熱載流子也會(huì)導(dǎo)致動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDSon) 增加。這為導(dǎo)通狀態(tài) V GS創(chuàng)造了一個(gè)上限窗口，通常在 6.5 V 左右。
　　導(dǎo)通狀態(tài) Vgs 的下限窗口可由 RDSon 設(shè)置，通常需要 > 4V 左右才能達(dá)到飽和低電平。因此，整體操作窗口可能很?。?V – 6.5V）。因此，柵極過(guò)驅(qū)動(dòng)的裕度非常有限（大約 1 V）?；隍?qū)動(dòng) Si MOSFET 的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)器無(wú)法輕松使用，需要多個(gè)外部組件，因此會(huì)增加轉(zhuǎn)換器電路板的復(fù)雜性和成本。電路板設(shè)計(jì)和布局對(duì)于保持電感路徑較小至關(guān)重要，而使用噪聲裕度低且需要許多外部組件與柵極驅(qū)動(dòng)器接口的 GaN 器件會(huì)增加這種復(fù)雜性　　集成式 GaN 解決方案
　　Cambridge GaN Devices 是一家無(wú)晶圓廠半導(dǎo)體公司，開發(fā)了一系列額定電壓為 650 V 的硅基 GaN 功率器件。一種稱為 ICeGaN 的新型柵極接口以及感測(cè)和保護(hù)電路被單片集成到單個(gè)芯片解決方案中。圖 1 顯示了 ICeGaN 電路的示意框圖。主功率 HEMT 是肖特基 p 柵極 GaN HEMT，額定電壓為 650V，V th約為 1.6V。

　　輔助低壓 GaN HEMT 與電流源和電壓限制器一起負(fù)責(zé)吸收大部分外部施加的柵極電壓。因此，功率 HEMT 器件柵極上的電壓（在圖 1 中稱為內(nèi)柵極或 V Gi）受到嚴(yán)格控制。該電路確保功率 HEMT 不會(huì)在外部柵極電壓 V G達(dá)到約 2.7 V（這是集成器件 V th）之前開啟，此時(shí) V Gi約為 1.6 V。對(duì)于高于此值的電壓，當(dāng) V G < 7 V 時(shí)，V Gi遵循輔助 HEMT 柵極電壓 V G,aux ，公式為 V Gi = V G,aux – V GS,aux。當(dāng) V G > 7V 時(shí)，V G, aux被鉗位在一個(gè)恒定電壓上，因此 V Gi被限制在 5.5 V 左右。

　　　　圖 1：ICeGaN 電路原理框圖（Cambridge GaN Devices）
　　圖 2 顯示了 V G和 V Gi之間的關(guān)系。因此，標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)器可用于外部 V G 。ICeGaN 接口的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是，相對(duì)于高溫，鉗位電路在低溫下高 V G值時(shí)會(huì)降低 V Gi ，從而限度地減少了 GaN HEMT 1中出現(xiàn)的退化機(jī)制之一。
　　米勒箝位是動(dòng)態(tài)操作下的重要保護(hù)裝置。該裝置具有可調(diào)狀態(tài)，因此當(dāng)功率 GaN 開啟時(shí)，它在正常條件下處于高阻抗關(guān)閉狀態(tài)。在關(guān)閉時(shí)，它能夠?qū)?V Gi強(qiáng)力拉至 0 V，加速關(guān)閉并限度地減少柵極電荷。米勒箝位還可在外部瞬變和快速開關(guān)事件期間提供強(qiáng)大的抗寄生開啟能力。

　　圖 2： ICeGaN 電路中V G和 V Gi的關(guān)系（ 1）
　　柵極過(guò)壓穩(wěn)定性
　　在王教授及其團(tuán)隊(duì)進(jìn)行的這項(xiàng)研究中，研究了 ICeGaN 的動(dòng)態(tài)柵極過(guò)壓邊界。使用 650V/130 mΩ ICeGaN 產(chǎn)品。智能接口由外部 12 – 20 VV DD電壓供電，如圖 1 所示。在 V G或 V Gi處產(chǎn)生諧振電壓過(guò)沖，模擬功率轉(zhuǎn)換器中可見的柵極過(guò)沖。測(cè)試在靜態(tài)條件下進(jìn)行，其中功率 GaN 漏極-源極接地（稱為 DSG，V DS = 0V），模擬零電壓開關(guān)情況，以及在 400 V 總線電壓和電感負(fù)載下的硬開關(guān) (HSW) 條件。測(cè)試平臺(tái)原理圖如圖 3 所示。

　　

　　圖 3：用于柵極過(guò)壓穩(wěn)定性的測(cè)試平臺(tái)及總結(jié)結(jié)果（Wang 等，APEC 2024）
　　該測(cè)試電路通過(guò)在柵極環(huán)路電感器 L G中積聚能量來(lái)產(chǎn)生過(guò)沖，該電感器由 0.5 VV CC電源電壓充電。開關(guān) S1 是低壓 GaN HEMT。當(dāng) S1 關(guān)閉時(shí)，L G中的能量會(huì)產(chǎn)生諧振過(guò)沖，諧振由 L G以及 ICeGaN 的輸入電容與 S1 的輸出電容之和產(chǎn)生。過(guò)沖的脈沖寬度可由 L G值調(diào)制，過(guò)沖可由 S1 的導(dǎo)通時(shí)間調(diào)制。本工作中使用的寬度為 20 ns。這些器件在 25 o C 和 150 o C 下進(jìn)行了測(cè)試。使用的另一個(gè)變量是 ICeGaN 芯片的 V DD電源。在一種情況下，它被設(shè)置為 20 V，而在另一種情況下，它與外部柵極電源相連。后一種情況可消除 ESD 保護(hù)電路中的過(guò)壓應(yīng)力。
　　動(dòng)態(tài)柵極過(guò)壓穩(wěn)定性通過(guò)參數(shù) BV G, DYN來(lái)衡量，該參數(shù)表示部件發(fā)生故障前的柵極過(guò)應(yīng)力電壓。獲得的結(jié)果如圖 3 中的表格所示。當(dāng)過(guò)壓直接施加到內(nèi)部柵極時(shí)，可獲得 33-35 V 的 BV G, DYN值，而當(dāng)應(yīng)力施加到 ICeGaN 的外部柵極引腳且 V DD為 20 V 時(shí)，該值會(huì)增加到 66 -72 V。當(dāng) V DD引腳短路至外部柵極時(shí)，BV G, DYN會(huì)進(jìn)一步增加到 84 -92 V。在 VDD 由外部 20 V 電源驅(qū)動(dòng)的情況下進(jìn)行的故障分析表明，ICeGaN 芯片中的 ESD 保護(hù)模塊可能是故障模塊。故障時(shí)的參數(shù)特性顯示柵極-源極短路。在 VDD 短路至外部柵極的情況下發(fā)生的故障在故障后顯示出傳輸特性的變化。此處的故障歸因于米勒鉗位的退化，導(dǎo)致軟故障。
　　BV G, DYN中顯示的顯著提升表明 ICeGaN 柵極接口提供了出色的柵極保護(hù)。通過(guò)集成解決方案提高柵極穩(wěn)健性對(duì)于在電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中使用 ICeGaN 器件而言是一項(xiàng)重要優(yōu)勢(shì)。