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PDTC143TT Datasheet

  • PDTC143TT

  • NPN resistor-equipped transistor

  • Philips

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Philips Semiconductors
Product speci鏗乧ation
NPN resistor-equipped transistor
PDTC143TT
handbook, halfpage
10
3
MDA848
handbook, halfpage
10
3
MDA847
hFE
(1)
VCEsat
(mV)
(2)
10
2
(3)
(1)
(3)
(2)
10
2
10
鈭?
1
10
IC (mA)
10
2
10
10
鈭?
1
10
IC (mA)
10
2
V
CE
= 5 V.
(1) T
amb
= 100
擄C.
(2) T
amb
= 25
擄C.
(3) T
amb
=
鈭?0 擄C.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 100
擄C.
(2) T
amb
= 25
擄C.
(3) T
amb
=
鈭?0 擄C.
Fig.3
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
Fig.4
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
1999 May 21
4

PDTC143TT 產(chǎn)品屬性

  • 4.7 k

  • 表面貼裝

  • 1.4mm

  • TO-236AB

  • 3 x 1.4 x 1mm

  • 3

  • NPN

  • -65 °C

  • 5 V

  • 100 mA

  • 50 V

  • 0.1 V

  • 200

  • +150 °C

  • 單

  • 3mm

  • 1mm

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