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AVR ATmega8515規(guī)格書部分譯稿

作者:winsu 欄目:單片機(jī)
AVR ATMEGA8515規(guī)格書部分譯稿
規(guī)格書譯稿

譯者:winsu(www.21icbbs.com)
版權(quán)聲明:放棄所有版權(quán)
聲明:只供入門者參考,高手看了勿出言“不如看原版”之類,請斧正。
注:不知道如何上傳圖片,如想看全文,請下載。
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題目:             帶有8K字節(jié)可在線編程FLASH的8位AVR微處理器
型號:            ATMEGA8515  ATMEGA8515L
主題:             MEGA8515外部儲存器
原版本:        2512E–AVR–09/03
翻譯版本:    0.1-10/2003
內(nèi)容:             規(guī)格書第24頁至第32頁
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外部儲存器界面
由于提供全功能的外部儲存器界面,它十分適合用于操作儲存類器件的界面,如外部SRAMFLASH,或周邊器件如LCD顯示器,A/D, 與D/A. 主要功能有:

         * 4種不同的等待狀態(tài)設(shè)置(包括無等待狀態(tài))

         * 對不同的外部儲存器扇區(qū)有獨(dú)立等待狀態(tài)設(shè)置(可配置的扇區(qū)長度)

         * 地址高位的位數(shù)是可選的

         * 數(shù)據(jù)線的總線保持減少到最小電流的消耗(可選擇)

當(dāng)外部儲存器(XMEM)(寄存器)被允許,就允許使用超出內(nèi)部SRAM的地址空間,可使用專門的外部儲存器引腳(見第2頁的圖1,第65頁的表26,第69頁的表32,與第73頁的表38).儲存器配置見表11.

圖11,有扇區(qū)選擇的外部存儲器



使用外部存儲器界面
這個界面包括:

         * AD7:0: 復(fù)合端口,包括低位地址總線與數(shù)據(jù)總線

         * A15:8: 高位地址總路線(位數(shù)可設(shè)置)

         * ALE: 地址鎖存允許

         * RD: 讀選通

         * WR: 寫選通

外部儲存器的控制位界面被分配進(jìn)3個寄存器, MCU控制寄存器-MCUCR, 外部MCU控制寄存器-EMCUCR, 與特殊功能IO寄存器-SFIOR.

當(dāng)XMEM界面被允許, 它會忽略數(shù)據(jù)方向寄存器的設(shè)置, 而是按照界面的設(shè)置. 關(guān)于詳細(xì)信息, 見第58頁的"I/O 端口".XMEM界面自動偵測訪問(操作)是在內(nèi)部或外部. 如果是外部訪問, XMEM界面將輸出地址、數(shù)據(jù), 與控制信號到端口, 按照圖13(該圖顯示的波形是沒有等待狀態(tài)的). 當(dāng)ALE從高變?yōu)榈? 表示輸出一個有效地址在AD7:0. 數(shù)據(jù)傳輸過程中ALE為低. 當(dāng)XMEM界面被允許, 也就是一個內(nèi)部訪問將被激活在地址、數(shù)據(jù)與ALE端口, 但在內(nèi)部訪問過程中RD與WR選通信號沒有被觸發(fā). 當(dāng)外部儲存器界面被屏蔽, 就使用標(biāo)準(zhǔn)引腳與數(shù)據(jù)方向設(shè)置. 注意: 當(dāng)XMEM界面被屏蔽時(shí), 高于內(nèi)部SRAM最高地址限界的地址空間不映射進(jìn)內(nèi)部SRAM. 圖12說明了, 使用一個八進(jìn)制鎖存器(典型型號為"74X573"或其他類擬的器件),當(dāng)G為高時(shí)它允許傳輸, 如何連接一個外部SRAM到AVR.

地址鎖存需求
由于XRAM界面的是工作于很高速度的, 地址鎖存器選擇時(shí),注意頻率須高于8MHZ@4V與4MHZ@2.7V. 當(dāng)選擇超出這些頻率時(shí), 典型的舊型號74HC系列鎖存器變得不適當(dāng). 外部儲存器界面是按74AHC系列鎖存器來設(shè)計(jì)的. 但是,大多數(shù)的鎖存可根據(jù)其主要參數(shù)來使用, 這些地址鎖存器的主要參數(shù)是:

         * D到Q的傳輸延時(shí)(tpd)

         * G為低之前的數(shù)據(jù)開始時(shí)間(Set Up)(tsu)

         * G為低之后的數(shù)據(jù)(地址)保持時(shí)間(th)

外部儲存器界面設(shè)計(jì)的G為低之后保證最小的地址保持時(shí)間為th=5ns(參考第202頁的表98到表105). D到Q的傳輸延時(shí)(tpd)必須著重考慮外部器件所要求的計(jì)算訪問時(shí)間. G為低前的數(shù)據(jù)開始時(shí)間(tsu)必須不超過地址有效到ALE為低(tavllc)減去PCB線路延時(shí)(延時(shí)多少要看容性負(fù)載).

圖12,外部SRAM與AVR的連接



上拉與總線keeper
如果端口寄存器被寫,相應(yīng)的在AD7:0上的上拉電阻可能會被激活. 為了在睡眠狀態(tài)中了降低功耗, 建議在進(jìn)入睡眠狀態(tài)之前, 通過寫端口寄存器為"0"而屏蔽上拉.

XMEM界面在AD7:0線上提供了一個總線keeper.. 按照第30頁的”特殊功能IO寄存器 – SFIOR”說明,可在軟件中允許或屏蔽這個總線keeper. 當(dāng)允許時(shí), 總線keeper將保持前一個值在AD7:0總線上, 因通過XMEM界面的這些總線是三態(tài)的.

時(shí)序
外部儲存器元件有不同的時(shí)序需求. 為了配合這些需求, ATMEGA8515的XMEM界面提供了4種不同的等待狀態(tài),如表3所示. 在選擇這些等待狀態(tài)時(shí), 須考慮外部儲存器的時(shí)序參數(shù). 最重要的參數(shù)是外部儲存器的訪問時(shí)間須與ATMEGA8515的set-up要求相配合. 外部儲存器的訪問時(shí)間被定義為, 從接收到片選/地址到這個地址的實(shí)際數(shù)據(jù)驅(qū)動到總線的時(shí)間. 訪問時(shí)間不能超過讀數(shù)據(jù)時(shí)從ALE脈沖變?yōu)榈偷綌?shù)據(jù)穩(wěn)定時(shí)的時(shí)間(參考第202頁的表98到表105中的tllrl+trlrh-tdvrh). 不同的等待狀態(tài)可用軟件來設(shè)置, 作為一個附加功能, 這是可能的: 分別設(shè)置等待狀態(tài)來把外部儲存空間分為2個扇區(qū). 這使這樣成為可能: 把2個不同的時(shí)序參數(shù)的儲存器連接到同一個XMEM界面. XMEM界面時(shí)序詳細(xì)說明, 請參考圖89到圖92, 表98到表105.

注意, XMEM界面是非同步的,并且圖中的波形與內(nèi)部系統(tǒng)時(shí)鐘有聯(lián)系. 內(nèi)部與外部時(shí)鐘(XTAL1)的非對稱性是不能被保證的(這是由于不同的器件、溫度、電壓導(dǎo)致的). 因此, XMEM界面不適合用于同步操作.

圖13,沒有等待狀態(tài)的外部數(shù)據(jù)儲存周期(SRWn1=0且SRWn0=0)(注1)


注1: SRWn1=SRW11(高位扇區(qū))或SRW01(低位扇區(qū)), SRWn0=SRW10(高位扇區(qū))或SRW00(低位扇區(qū))

     僅當(dāng)下一條指令訪問RAM(內(nèi)部或外部)時(shí),在周期T4中的ALE脈沖才存在.

圖14,外部數(shù)據(jù)存儲周期SRWn1=0且SRWn0=1(注1)


注1: SRWn1 = SRW11 (高位扇區(qū))或 SRW01 (低位扇區(qū)), SRWn0 = SRW10 (高位扇區(qū))或SRW00 (低位扇區(qū))

     僅當(dāng)下一條指令訪問RAM(內(nèi)部或外部)時(shí),在周期T5中的ALE脈沖才存在.

圖15,外部數(shù)據(jù)儲存周期SRWn1=1且SRWn0=0(注1)


注1: SRWn1 = SRW11 (高位扇區(qū))或SRW01 (低位扇區(qū)), SRWn0 = SRW10 (高位扇區(qū))或SRW00 (低位扇區(qū))

     僅當(dāng)下一條指令訪問RAM(內(nèi)部或外部)時(shí),在周期T6中的ALE脈沖才存在.

圖16,外部數(shù)據(jù)儲存周期SRWn1=1且SRWn0=1(注1)


注1: SRWn1 = SRW11 (高位扇區(qū))或SRW01 (低位扇區(qū)), SRWn0 = SRW10 (高位扇區(qū))或SRW00 (低位扇區(qū))

     僅當(dāng)下一條指令訪問RAM(內(nèi)部或外部)時(shí),在周期T7中的ALE脈沖才存在.

XMEM寄存器說明

MCU控制寄存器

MCUCR

Bit7 - SRE: 外部SRAM/XMEM允許

寫SRE為1允許外部儲存器界面. 引腳功能AD7:0、A15:8、ALE、WR,與RD被激活作為altermate引腳界面. SRE位忽略所有數(shù)據(jù)方向寄存器的方向設(shè)置. 寫SRE為0時(shí), 屏蔽外部儲存器界面, 并使用標(biāo)準(zhǔn)引腳與方向設(shè)置.

Bit6 - SRW10: 等待狀態(tài)選擇位

詳細(xì)說明,見下面SRWn的一般說明(EMCUCR說明).

外部MCU控制寄存器

EMCUCR

Bit6..4 - SRL2, SRL1, SRL0:等待狀態(tài)扇區(qū)界限

用于設(shè)置不同的等待狀態(tài)配合不同的外部儲存地址. 外部儲存器地址空間能分為2個扇區(qū), 他們有獨(dú)立的等待狀態(tài)位. SRL2,SRL1與SRL0位選擇這些扇區(qū)的分割, 見表2與圖11. 默認(rèn)時(shí), SRL2,SRL1,與SRL0位設(shè)置為"0", 且整個外部儲存器地址空間作為一個扇區(qū)處理. 當(dāng)整個SRAM地址空間配置為一個扇區(qū)時(shí), 等待狀態(tài)是通過SRW11與SRW10位來配置.

表2,用SRL2..0不同的設(shè)置來設(shè)置扇區(qū)界限


Bit1與Bit6 MCUCR - SRW11,SRW10: 高位扇區(qū)的等待狀態(tài)選擇位.

SRW11與SRW10位控制外部儲存器地址空間的高位扇區(qū)的等待狀態(tài)值,見表3

Bit3..2 - SRW01,SRW00: 低位扇區(qū)的等待狀態(tài)位

SRW01與SRW00位控制外部儲存器地址空間的低位扇區(qū)的等待狀態(tài)值,見表3

表3,等待狀態(tài)(注1)


注1: n=0或1(低/高位扇區(qū))

     外部儲存器界面的詳細(xì)時(shí)序與等待狀態(tài)的說明,見圖13到圖16,如何通過設(shè)置SRW位影響時(shí)序.

特殊功能IO寄存器

SFIOR

Bit6 - XMBK: 外部儲存器總線keeper允許

寫XMBK為"1", 在AD7:0線上允許總線Keeper. 當(dāng)總線keeper允許時(shí), AD7:0保持最后的驅(qū)動值在線上即使XMEM界面有三態(tài)總線. 寫XMBK為"0"屏蔽總線keeper.  XMBK不保持用SRE, 所以即使XMEM界面被屏蔽, 只要XMBK為"1", 總線Keeper還被激活.

Bit5 - XMM2,XMM1,XMM0: 外部儲存器高位Mask

當(dāng)外部儲存器被允許時(shí), 所有PORT C引腳默認(rèn)用作高位地址字節(jié). 如果不需要訪問外部儲存器的全部64,928字節(jié)的地址空間, 有時(shí),或完全地, Prot C引腳可釋放出來作為標(biāo)準(zhǔn)的端口引腳功能, 詳細(xì)說明見
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