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昨天剛觀察到的PIC16F73的一個現(xiàn)象 |
| 作者：yewuyi 欄目：單片機(jī) |
在強(qiáng)電磁干擾下，整機(jī)黑屏，起初以為程序死，但心里不太相信，故拿示波器看了一下晶體波形，不看也罷，一看確實嚇了一大跳：波形非常怪異，一會是一段衰減波形，一會是一段類似正弦波形，一會又是一段直線，在正弦波形狀態(tài)下，峰峰值大致為1。2V，頻率大致為3。9MHZ，直線狀態(tài)下，交直流電壓值為零。 放置一段時間后，竟然發(fā)現(xiàn)定時器1中斷在運行（在中斷里用了一個LED燈做閃爍指示，可用它來判斷中斷是否執(zhí)行，CLRWDT包含在主程序中，中斷內(nèi)沒有“殺狗”），但閃爍指示狀態(tài)非常緩慢，已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)慢于正常閃爍狀態(tài)。黑屏現(xiàn)象沒有改變，通過人為復(fù)位MCLR可以重啟MCU（無需重新上電）。 各位上來談?wù)勅绾卧\治這病癥…… 另請教張工，16F73與16C73在設(shè)計上，電路方面是否要做一些改動？聽朋友說，還是有一些細(xì)微改動才好…… |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： yewuyi 于 2004/11/5 17:26:00 發(fā)布：
無人遇到同類問題？ |
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| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： xieyuanbin 于 2004/11/5 18:26:00 發(fā)布：
大概有兩個辦法. 第一,確保你的電源完全穩(wěn)定的情況下,將VPP通過一個2K7的電阻直接接至電源.不要有復(fù)位電容. 第二,如果時間精度允許,請使用RC振蕩.或外接振蕩器. 以上盡供參考. |
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| 4樓： | >>參與討論 |
| 作者： yewuyi 于 2004/11/6 14:02:00 發(fā)布：
第一招從理論上講會起到什么作用？ 第一招從理論上講對解決本問題會起到什么作用？ 第二招暫時不能采用，RC振蕩保證不了我需要的精度，外接振蕩器成本上不能接受。 |
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| 5樓： | >>參與討論 |
| 作者： xieyuanbin 于 2004/11/6 15:03:00 發(fā)布：
理論上. 因為VPP上如果有高電壓的話,可能會導(dǎo)致芯片進(jìn)入編程狀態(tài).直接接濾波良好的電源有助于濾除干擾,比如非法的復(fù)位信號及燒寫信號等 |
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| 6樓： | >>參與討論 |
| 作者： ZRL700424 于 2004/11/7 9:40:00 發(fā)布：
好像沒有道理 "因為VPP上如果有高電壓的話,可能會導(dǎo)致芯片進(jìn)入編程狀態(tài).直接接濾波良好的電源有助于濾除干擾,比如非法的復(fù)位信號及燒寫信號等" 應(yīng)該沒有道理吧,F的片子VPP上如果有高電壓的話,可能會進(jìn)入編程狀態(tài),那OTP的不也一樣會進(jìn)入編程狀態(tài)嗎? |
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| 7樓： | >>參與討論 |
| 作者： hillsprite 于 2004/11/7 11:14:00 發(fā)布：
f73等FLASH芯片的復(fù)位 不能用大電解電容，只可以接一個0.1以下的電容并通過電阻上拉到5V.這得到大量應(yīng)用的證實。關(guān)于這一點，MICROCHIP好像出過勘誤。 |
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| 8樓： | >>參與討論 |
| 作者： legality 于 2004/11/7 12:52:00 發(fā)布：
我用22UF的電容沒出過問題. "不能用大電解電容，只可以接一個0.1以下的電容并通過電阻上拉到5V" 那電阻該用多大呢?? 怪現(xiàn)象可能是起振電容的問題. |
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| 9樓： | >>參與討論 |
| 作者： xieyuanbin 于 2004/11/7 17:41:00 發(fā)布：
TO:ZRL700424 應(yīng)該沒有道理吧,F的片子VPP上如果有高電壓的話,可能會進(jìn)入編程狀態(tài),那OTP的不也一樣會進(jìn)入編程狀態(tài)嗎? 根據(jù)各人經(jīng)驗,OTP的沒那么容易進(jìn)入編程狀態(tài). 另外,FLASH的芯片由于程序存儲器是電壓驅(qū)動,我想這是比較容易受到干擾的關(guān)鍵.但對這個我們是無能為力的. 對于干擾,我的經(jīng)驗是做好一個電源比什么都中用. |
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| 10樓： | >>參與討論 |
| 作者： hillsprite 于 2004/11/7 22:25:00 發(fā)布：
繼續(xù) 當(dāng)年我MCLR用10UF電容，當(dāng)壓機(jī)繼電器開關(guān)時芯片復(fù)位，同時在群脈沖試驗中同樣復(fù)位，付出了慘重代價。后改去掉10UF電容，進(jìn)行了很多試驗，最終覺得有以下結(jié)論： 1.F73復(fù)位加大電容在強(qiáng)電磁脈沖干擾下會引起MCLR鎖定地電平并引起復(fù)位； 2.試驗結(jié)果，在MCLR端加0.1UF小電容比不加抗干擾要強(qiáng)； 3.電阻推薦使用1K以上，1K以下時，電源電容同樣會引起1所描述的復(fù)位。 這一點可以從C73和F73DATASHEET中推薦電路區(qū)別看出。本人很用了一些F73,F73相對C73要略差。 |
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| 11樓： | >>參與討論 |
| 作者： yewuyi 于 2004/11/8 9:32:00 發(fā)布：
說明幾點，各位繼續(xù)討論 復(fù)位電路：VCC->10K電阻(1N4148)+105獨石電容->GND 從故障現(xiàn)象來看，應(yīng)該沒有進(jìn)入VPP高壓編程狀態(tài)，因為程序依然在緩慢執(zhí)行（閃爍燈可以證明）。 晶體電路： 4M晶體（晶體殼接地）+20PF->GND(如果改接VCC是否會有什么特別的效果？） F73要比C73差很多，最明顯的比C73更容易復(fù)位。 |
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| 12樓： | >>參與討論 |
| 作者： llishilin 于 2004/11/8 16:19:00 發(fā)布：
怪 怎么不采用專門的復(fù)位芯片 |
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| 13樓： | >>參與討論 |
| 作者： yewuyi 于 2004/11/8 16:46:00 發(fā)布：
專用芯片要錢的啊…… |
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| 14樓： | >>參與討論 |
| 作者： icq110 于 2004/11/8 22:01:00 發(fā)布：
今天的事 我可證明樓主的現(xiàn)象，今天的事，我用WAVE仿真C73時行，用F73編譯程序再燒F73就不穩(wěn)定，都是按F73配的設(shè)置，用示波器看晶振變得歷害。 |
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| 15樓： | >>參與討論 |
| 作者： pheavecn 于 2004/11/8 22:17:00 發(fā)布：
唉呀,PIC的芯片看來"本地化"了!!! 不過我提供一個線索給大家參考: 很久以前,用OTP芯片PIC16C54,有干擾就亂跑. 后來換一批,OK. 原來差的一批是THAILAND封裝的,而后來好的一批是CHINA封裝的. 小心進(jìn)貨渠道!!! 當(dāng)然,PIC FLASH確實有問題,小心點用吧. |
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| 16樓： | >>參與討論 |
| 作者： yewuyi 于 2004/11/9 8:59:00 發(fā)布：
貨源應(yīng)當(dāng)沒有問題 我手上幾個封裝地的片子都有，已經(jīng)做過了對比實驗…… TO icq110： 如果沒有干擾的話，不應(yīng)該出現(xiàn)你說的現(xiàn)象，當(dāng)然，前提是在硬件設(shè)計上沒有什么問題。不加干擾，我的F73可是一份漂亮的正弦波哦…… * - 本貼最后修改時間：2004-11-18 11:54:55 修改者：yewuyi |
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| 17樓： | >>參與討論 |
| 作者： yewuyi 于 2004/11/18 11:56:00 發(fā)布：
自己頂上去，看看有沒有更好的解決方法…… 張工最近有空 ，看看張工怎么說…… 張工，給點建議把…… |
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| 18樓： | >>參與討論 |
| 作者： martin 于 2004/11/18 13:18:00 發(fā)布：
re C73和F73的區(qū)別，C73是120K OTP 0.7um的工藝，F(xiàn)73是150K FLASH 0.5um的工藝。150K的工藝和120K相比，在速度上，某些抗干擾性能上有提升，但150K工藝對高頻干擾更加敏感，另由于工藝改變后，MCLR部分模塊重新設(shè)計，所以很多用戶在做F7x到C7x的直接代換時出現(xiàn)意想不到的問題。 建議： 1）MCLR不要接大電容（電解有很大的ESL），通常接電阻上拉及104或103的瓷片 2）經(jīng)驗上，F(xiàn)7x的XT振蕩激勵普遍比C7x的小，建議使用4M晶體的用戶選擇HS振蕩模式 3）另電參數(shù)上有細(xì)微差別（如高低電平電壓等），需要對照數(shù)據(jù)手冊去看。 |
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| 19樓： | >>參與討論 |
| 作者： martin 于 2004/11/18 13:34:00 發(fā)布：
另 看到CHINA封裝的不用奇怪，MICROCHIP在上海有一家參股的合資封裝廠－阿法泰克，大概五年前就開始在做一部分的PIC的封裝，但大部分的PIC都是在泰國的獨資封裝廠里封裝的。 |
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| 20樓： | >>參與討論 |
| 作者： lymdpic 于 2004/11/19 19:51:00 發(fā)布：
我也碰到到類似的問題 我的設(shè)計是采用16F72，但在高壓打火的情況下片子無規(guī)律性偶爾出現(xiàn)復(fù)位，高壓打火直接對系統(tǒng)地打火。。 |
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| 21樓： | >>參與討論 |
| 作者： fly_away 于 2004/12/3 14:16:00 發(fā)布：
高壓打火具體是什么實驗啊？ |
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| 22樓： | >>參與討論 |
| 作者： fanguluke 于 2004/12/3 15:01:00 發(fā)布：
從理論上講， 要克服飛彈的襲擊，在軟件方面需要采用抗干擾處理，IO口業(yè)需要保護(hù)，電源業(yè)非常重要。 |
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| 23樓： | >>參與討論 |
| 作者： perrie 于 2008/9/21 9:16:51 發(fā)布：
16f73和16f72有什么區(qū)別？ |
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