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請高手幫忙分析下這個電路的場效應(yīng)管 |
| 作者：ztg33333 欄目：模擬技術(shù) |
我該選用什么類型的管子比較好呢
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| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： maychang 于 2005/12/21 10:55:00 發(fā)布：
前一個圖，管子畫的是P溝 幾乎任何P溝MOSFET都可以用，功率不大，耐壓也要求不高。 后一個圖不知道是什么功能，不敢說。 * - 本貼最后修改時間：2005-12-21 11:13:38 修改者：maychang |
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| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： ztg33333 于 2005/12/21 12:42:00 發(fā)布：
感謝樓上的兄弟！但電路的GDS連接關(guān)系我分析不出來 假設(shè)vin在0到10伏間變化，那么輸出的電流也相應(yīng)變化，圖中的那個Q2連接24V的管腳是D還是S？我想用絕緣柵管。VOUT該怎么變化呢？ |
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| 4樓： | >>參與討論 |
| 作者： maychang 于 2005/12/21 13:26:00 發(fā)布：
圖中從輸出端到運放有反饋 這當然必須是負反饋，目的是讓輸出電流不因電源電壓變化或負載變化而變化。 D極與G極關(guān)系是反相，而S極與G極關(guān)系是同相。從這個相位關(guān)系你應(yīng)該可以分析出這是N溝還是P溝管。 |
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| 5樓： | >>參與討論 |
| 作者： awey 于 2005/12/21 14:07:00 發(fā)布：
P溝的當然S接24V 既然是恒流源輸出的是肯定電流，Vout與負載電阻成正比 下面的電路把功能講明白一點 （猜：上面PMOS，下面NMOS） |
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| 6樓： | >>參與討論 |
| 作者： ztg33333 于 2005/12/21 14:44:00 發(fā)布：
感謝各位兄弟，但我分析怎么結(jié)果是這樣呢 首先說下電路功能：上面的電路是一個恒流源，如果輸入電壓定，那么輸出電流不隨負載而變化；如果輸入電壓升高的話，這個電流對于同樣的負載卻會更大，即保證這樣的關(guān)系，無論負載怎么變化，IOUT=K*vin，根據(jù)樓上兄弟的提示，假設(shè)輸入電壓一定，那么輸出電流恒定，負載變大時候，ＶＯＵＴ點的電壓根據(jù)反饋關(guān)系，應(yīng)該是降低，這樣２４Ｖ該接的是Ｓ極．不知道我說的對不． 下面的電路功能：Ｑ７ＧＳ間來一個脈沖（ＣＰＬＤ輸出的寬度為２ＵＳ脈沖）那么Ｒ３８與感應(yīng)線圈的接點上產(chǎn)生一個負的脈沖，二極管起到整形的作用．未知類型的管子應(yīng)該也是Ｐ溝道的場效應(yīng)管，ＳＧ始終處于大于導(dǎo)通域值電壓，那么下面管子（分析應(yīng)該是絕緣柵ＮＭＯＳ）在正脈沖來的瞬間導(dǎo)通，使Ｒ３８點的電壓瞬間降低．產(chǎn)生了個負脈沖，不導(dǎo)通的時候測試大概是１５Ｖ電壓．請大家推薦一下該使用的管子類型，我也不知道我分析的對不，過段時間我把電路板整出來，測試一下看對不． |
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| 7樓： | >>參與討論 |
| 作者： computer00 于 2005/12/21 14:51:00 發(fā)布：
郁悶，所有的圖都看不到。 |
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| 8樓： | >>參與討論 |
| 作者： sheepyang 于 2005/12/21 14:53:00 發(fā)布：
看符號 看了下mos管的符號，如果不是樓主自己畫上去的則可以通過mos管的中間那個箭頭來區(qū)別。方向的指向是溝道相對于襯底的關(guān)系。 “-->”表示由P指向N. 上面的圖可以看出，溝道是P的，襯底是N的。 NMOS則相反,是"<--" R34好象是限流電阻，不知道阻值是多少？ 下面的圖我看不懂。哪位能解釋下？ 當Q7關(guān)斷是，T1下端的電位將升高，看不到電流通路。 難道MMBZ5249是zener管，我對器件不熟悉。:( |
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| 9樓： | >>參與討論 |
| 作者： maychang 于 2005/12/21 15:03:00 發(fā)布：
Re 假定負載變重，即電阻變小，使輸出電流增加，那么IOUT點電位降低->U6B反相端電位降低->U6B輸出端電位升高->U6A反相端電位升高->U6A輸出端電位降低，Q2必須是P溝，才能夠使R31與R34連接點電位升高。 下面的圖，看不出來。 |
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| 10樓： | >>參與討論 |
| 作者： ztg33333 于 2005/12/21 15:33:00 發(fā)布：
感謝maychang兄！也感謝SHEEPYANG！ 電路是我抄的電路板。上面的管子型號根本查不到。所以圖是我自己隨便畫上的，不是成功電路。R34是100歐姆，小二極管應(yīng)該是ZENER管，P8Y查不到型號自己隨意寫了個。T7關(guān)斷應(yīng)該是沒電路通路吧，我也郁悶，只好自己安慰自己是上面的管子常開，但下面的管子是脈沖來通一下。 另外電路的反饋上為什么不這樣分析呢：假定負載變重，即電阻變小，使輸出電流增加，那么IOUT點電位降低->U6B正相端電位降低->U6B輸出端電位降低->U6A反相端電位降低->U6A輸出端電位升高。 不過我仔細感受了下，覺得應(yīng)該是P溝道。 |
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| 11樓： | >>參與討論 |
| 作者： ztg33333 于 2005/12/21 15:44:00 發(fā)布：
如果是P根據(jù)相位關(guān)系24伏接D |
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| 12樓： | >>參與討論 |
| 作者： sheepyang 于 2005/12/21 17:40:00 發(fā)布：
我怎么分析Q2是NMOS管 首先我們看R31，R32構(gòu)成的電壓反饋回路。 如果R31上端電壓增加則R32的電壓增加，U6B輸出增加，U6A輸出減少。如果 是P管，則R31上的電位還是增加啊，不是正反饋了么？ 再考慮R34電位的下降，則正由maychang分析的那樣。也是使達到降低電流的目的。 (V31/(R34+Rout) 我想混淆的原因是我們還不太清楚反饋的主回路在哪。比較錯綜復(fù)雜。:( 我覺得上面一路反饋是檢測電流的，R31,R32才是主要的反饋回路。 不知道對不對。 |
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| 13樓： | >>參與討論 |
| 作者： luke293 于 2005/12/21 19:40:00 發(fā)布：
MOS管 張俊洋： 上面的電路也許基本的工作原理是對的，對管子工作的點跟本沒仔細算過，就不能隨意接上去用的，要根據(jù)管子的特性，把每一個工作點都算的很準 |
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| 14樓： | >>參與討論 |
| 作者： ztg33333 于 2005/12/22 9:30:00 發(fā)布：
請各位高手根據(jù)我補充的圖再分析下吧 兩個未知管子類型是一樣的，我把下面的圖再發(fā)一次，大家?guī)兔Ψ治鱿聦崿F(xiàn)這樣的功能該是什么管子，定量分析對我太難了，我很感謝各位，上面的電路的確是兩路反饋，我利用線性疊加分析出幾個電阻的關(guān)系是成比例的，而且阻值1A1很大，K歐姆級的。DS該是怎么連接的呢
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| 15樓： | >>參與討論 |
| 作者： sheepyang 于 2005/12/22 9:58:00 發(fā)布：
我的感覺 上面的圖Q2是NMOS, D接Vdd, S接R34/R31. 下面的圖感覺也是兩個NMOS.同樣是上D下S. 工作原理如下，高電平時Q7,QX都導(dǎo)通，關(guān)斷后，QX對C26充電，如果D6是zener的話，則C26 +端電位大約比zener高一點。QX可能后面常通。具體要看D6的數(shù)值。 如果D6的擊穿電壓很高，則電容的充電電壓將達到12-Vt,所以再來下脈沖，則輸出低電平，所以負脈沖的幅度差將約是12-Vt-Vds(on). Vds(on)是下管的，如果Rds(on)很小，則約為12-Vt.如果D6是zener,則幅度差約Vdz(當然Vdz<12-Vt). |
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| 16樓： | >>參與討論 |
| 作者： sheepyang 于 2005/12/22 10:14:00 發(fā)布：
怪了，不讓我做修改了 是不是說我惡意灌水啊。 我的描述有點補充。 “關(guān)斷后，QX對C26充電”應(yīng)該是 低電平后，Q7關(guān)斷，QX對C26充電。 如果D6的擊穿電壓比較高的話，則C26充電至12-Vt后，QX也會關(guān)斷。 |
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| 17樓： | >>參與討論 |
| 作者： ztg33333 于 2005/12/22 11:08:00 發(fā)布：
太感謝你了SHEEPYANG 你分析得太好了，很感謝你，也深深地佩服你的水平和耐心！感謝。 結(jié)合我自己的測試，你分析得讓我太信服了！我本來可以多測試下的，后來這些管子不小心燒壞了，沒敢加電，只好分析下電路了。以后做下板子測試下。謝謝各位�，F(xiàn)在唯一迷惑的是恒流源輸出的場效應(yīng)管怎么工作呢。能把你分析是NMOS管的詳細分析說下嗎？謝謝 |
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| 18樓： | >>參與討論 |
| 作者： sheepyang 于 2005/12/22 13:56:00 發(fā)布：
可以這樣分析 先看下面R31/R32組成的反饋網(wǎng)絡(luò)， 當R31上端的電位增加時，R32上端的電位也同時增加，所以U6B輸出增加，U6A輸出減少。 同時看R34/R35，當R31上端的電位增加時,則是使U6A輸出增加的。 兩者好象有抵銷作用，但誰作主導(dǎo)作用還不好說,要作公式分析了。 如果輸出負載電流增大，則Iout端的電位下降，則造成U6A輸出下降。 如果輸出管是PMOS,S接24V,D接下端（如果MOS是對稱的，也應(yīng)該這樣叫， 因為PMOS只有 Vgs<Vt才能導(dǎo)通,不然稱下端為S則鬧笑話了) 很顯然，，U6A的下降，Vgs變得更負了，會造成R31上端的電位增加，所以輸出的電流會更大，前面講了，R31/R2在R31上端增加時Vout也是下降的，這樣好了，電流越來越大.因為輸出電流等于R31上的電位除以(R34+Rout).這樣會形成個正反饋回路. 因此我認為這種情況不可能，如果是NMOS, D接24V. 這樣U6A電壓的下降將導(dǎo)致R31上的電位下降(有點象射極跟隨了). 這樣才能比較穩(wěn)定的工作。 有空你搭電路試試看。我不是搞系統(tǒng)的，所以沒有機會試這個。 |
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| 19樓： | >>參與討論 |
| 作者： ztg33333 于 2005/12/22 14:02:00 發(fā)布：
謝謝你�。樱龋牛牛校伲粒危�，我會測試的按你說的． |
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