突破浮動門限制，首款32G NAND問世08年規(guī)模商用（源自esmchina）
為重奪NAND閃存領域的技術領導地位，三星電子日前宣布已開發(fā)出基于40納米設計原理及三星專有的Charge Trap FLASH(CTF)結構的業(yè)界首款32G NAND閃存。三星表示，這種32G NAND閃存首次采用了高K電介質薄膜，可用于密度達到64G的存儲卡中。一張64G的存儲卡可儲存多達64個小時的DVD畫質的電影(約40部電影)，或者16000個MP3音樂文件(1340個小時)。
三星指出，這種40納米NAND 閃存設備的開發(fā)采用了CTF技術，從而不再需要浮動柵。數(shù)據(jù)被臨時存放在閃存非傳導層的一個由氮化硅組成的“存儲格”里，實現(xiàn)了更高的穩(wěn)定性和對存儲流更好的控制。與使用傳統(tǒng)浮動柵結構的設備相比，這種閃存中CTF控制柵的高度只有傳統(tǒng)控制柵高度的1/5。另外，相比于使用傳統(tǒng)浮動柵結構的設備，它進一步降低了單元間噪音，并將流程步驟減少了20%。它的單柵結構還實現(xiàn)了高度可擴展性，這將最終改進制造流程技術，促進基于20納米設計原理的256G閃存的問世。
CTF設計是通過使用一種所謂的Tanos結構來實現(xiàn)的，該結構包含了鉭(金屬元素)、氧化鋁(高K材料)、氮化物、氧化物和硅等各個層。Tanos結構的應用標志著金屬層和高K材料第一次被應用到NAND設備中。作為40納米32G NAND閃存的基礎，Tanos CTF結構最初是在2003年國際電子元件會議(IEDM)的一篇文章上發(fā)表的。三星表示，在接下來的10年里，這種基于CTF技術的NAND閃存的全球市場總額估計將達到2400億美元，并將徹底取代浮動柵結構，將該行業(yè)的發(fā)展成果推廣到2010年以后的terameter技術時代。
在此舉行的一場大型新聞發(fā)布會中，當談到由英特爾在1971年推出的浮動柵技術時，三星半導體事業(yè)部總裁兼CEO Hwang Chang-Gyu表示：“我們已經突破了浮動柵結構在過去35年里一直無法突破的限制�！�
三星將從2008年開始大規(guī)模生產40納米NAND閃存，這將使32G的MP3播放器和128G的SSD存儲卡成為現(xiàn)實。三星還希望能夠在2008到2010年間，從40納米NAND閃存業(yè)務上獲得總計500億美元的銷售收入。
NAND閃存實際上已經成為了所有數(shù)碼相機、USB設備、MP3播放器以及大多數(shù)多媒體手機和智能電話中的數(shù)據(jù)存儲設備，并在今年進入了PC領域。今年6月，三星推出了第一批型號分別為SENS Q3-SSD和SENS Q1-SSD的固態(tài)硬盤(SSD)筆記本電腦。用于32G NAND閃存的40納米制程的推出，也意味著三星第七代NAND閃存的問世。在此之前，Hwang在ISSCC 2002大會上首次提出了每年雙密度增長的“新存儲產品增長理論”。
三星希望能夠憑借這一產品奪回NAND閃存領域的技術領導權。今年7月，閃存領域的合作者英特爾和美光開始提供基于50納米制程技術的4G NAND閃存樣品，并在其后由雙方的合資公司IM FLASH TECHNOLOGIES公司進行生產。在此之前，這兩家公司在閃存領域的主要對手三星剛剛宣布開始大規(guī)模生產其基于60納米制程的8G NAND閃存，這是三星當時的領先級NAND產品。
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