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ARM讀寫nand flash出現(xiàn)問(wèn)題，請(qǐng)教大家 |
| 作者：signal7902 欄目：ARM技術(shù) |
我使用的nand FLASH是現(xiàn)代的HY27UF081G2M，與三星的K9F1G08U0A管腳一樣。 但是無(wú)法讀出正確的ID號(hào)，下面我給出了電路連接關(guān)系和源程序，大家?guī)臀曳治龇治�，不甚感激�?br> 電路圖連接關(guān)系如下： ARM的D[0:7]---NAND FLASH的D[0:7] ARM的讀信號(hào)/RD---NAND FLASH的讀信號(hào)/RD ARM的寫信號(hào)/WR---NAND FLASH的讀信號(hào)/WR ARM的選通信號(hào)/CS2---NAND FLASH的片選信號(hào)/CS ARM的GPIO1---NAND FLASH的信號(hào)R/B ARM的地址信號(hào)A2--NAND FLASH的信號(hào)ALE ARM的地址信號(hào)A1--NAND FLASH的信號(hào)CLE 對(duì)應(yīng)的操作地址： 命令輸入：0x04000002 地址輸入：0x04000004 數(shù)據(jù)操作：0x04000000 源代碼： INT8U Nf_ReadByte() { INT8U Ret; Ret=*((volatile INT8U*)(0x04000000)); return Ret; } void Nf_WriteByte(INT8U Data) { *((volatile INT8U *)(0x04000000)) = Data; } void Nf_SendAddr(INT8U Addr)//A2<-->ALE; A1<-->CLE; IOD[15]<-->R/B { *((volatile INT8U *)(0x04000004)) = Addr; } void Nf_SendCmd(INT8U Cmd)//A2<-->ALE; A1<-->CLE; IOD[15]<-->R/B { *((volatile INT8U *)(0x04000002)) = Cmd; } INT32U Nf_CheckID(void) { INT32U i,id; Nf_SendCmd(0x90); Nf_SendAddr(0x00); Delay1us(20); id=Nf_ReadByte()<<24;// ?? id|=Nf_ReadByte()<<16;//0xF1 id|=Nf_ReadByte()<<8; //0x00 id|=Nf_ReadByte(); // 0xAD return id; } |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： bill qiu 于 2005/4/9 18:52:00 發(fā)布：
HYNIX 好像不支持CE DON'T CARE,所以你的CE線要用IO來(lái)處理 |
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| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： signal7902 于 2005/4/9 21:10:00 發(fā)布：
如果 首先謝謝你的回答。 如果CE線采用IO來(lái)處理，那么FLASH的/WE和/RE信號(hào)和ARM怎么連接？ |
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| 4樓： | >>參與討論 |
| 作者： signal7902 于 2005/4/9 21:14:00 發(fā)布：
后來(lái) 后來(lái)我用三星的FLASH K9F1G08U0A試驗(yàn)，連接關(guān)系和源程序沒(méi)有改變，仍然無(wú)法讀出ID，真是怪異。 |
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| 5樓： | >>參與討論 |
| 作者： signal7902 于 2005/4/9 21:21:00 發(fā)布：
DATASHEET 我看了現(xiàn)代的DATASHEET，CE支持DON'T CARE |
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| 6樓： | >>參與討論 |
| 作者： bill qiu 于 2005/4/23 18:41:00 發(fā)布：
三星的Nandflash是一定不支持CE DON'T CARE |
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| 7樓： | >>參與討論 |
| 作者： nimrod_fu 于 2005/5/8 14:36:00 發(fā)布：
re 建議你用高位未用到的地址作ALE and CLE |
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| 8樓： | >>參與討論 |
| 作者： bill qiu 于 2005/5/13 20:09:00 發(fā)布：
低位的地址沒(méi)問(wèn)題,我做的項(xiàng)目就是這樣用的 |
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| 9樓： | >>參與討論 |
| 作者： chengxupin 于 2005/5/14 15:33:00 發(fā)布：
讀ID時(shí)，只要求2次讀 |
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| 10樓： | >>參與討論 |
| 作者： sujiechen 于 2005/5/19 15:42:00 發(fā)布：
最好用高位在址作ALE，CLE 這樣能避免誤操作，因?yàn)榫退阍谧x寫SDRAM的時(shí)候低位地址也會(huì)變化的。再看看命令時(shí)序有沒(méi)有問(wèn)題 |
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| 11樓： | >>參與討論 |
| 作者： 鄭捷 于 2005/6/20 22:02:00 發(fā)布：
三星的Nandflash是一定支持CE DON'T CARE的 |
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| 12樓： | >>參與討論 |
| 作者： fhpxagu 于 2005/10/11 14:56:00 發(fā)布：
請(qǐng)問(wèn)signal7902，你的Nandflash的ID讀出來(lái)了嗎 我現(xiàn)在遇到同樣的問(wèn)題，不知道問(wèn)題出在哪，希望你的經(jīng)驗(yàn)來(lái)救我。謝謝！ |
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| 13樓： | >>參與討論 |
| 作者： heyunj109 于 2006/10/9 11:01:00 發(fā)布：
pcfg2 你應(yīng)該配置pcfg2 只有寫入正確的值才能讀! 應(yīng)該配置成0x1000feff |
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| 14樓： | >>參與討論 |
| 作者： biyao 于 2010/4/21 17:30:12 發(fā)布：
哪位能給個(gè)圖看看，學(xué)習(xí)一下啊，感謝了 |
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