目前，集成電路的命名國(guó)際上還沒(méi)有一個(gè)統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)，各制造公司都有自己的一套命名方法，給我們識(shí)別集成電路帶來(lái)很大的
困難，但各制造公司對(duì)集成電路的命名總還存在一些規(guī)律。下面列出一些常見(jiàn)的集成電路生產(chǎn)公司的命名方法供大家參考。
（只寫(xiě)了前綴〕
    1.National SEMICONDUCTOR Corp.（國(guó)家半導(dǎo)體公司〕
      AD：A/D轉(zhuǎn)換器；       DA：D/A轉(zhuǎn)換器；
      CD：CMOS數(shù)字電路；    LF：線性場(chǎng)效應(yīng)；
      LH：線性電路（混合〕；LM：線性電路〔單塊〕；
      LP：線性低功耗電路。
    2.RCA Corp. (美國(guó)無(wú)線電公司)
      CA、LM：線性電路；    CD：CMOS數(shù)字電路；
      CDM；CMOS大規(guī)模電路。
    3.Motorola SEMICONDUCTOR Products,Inc. (摩托羅拉半導(dǎo)體公司)
      MC：密封集成電路；    MMS：存儲(chǔ)器電路；
      MLM：引線于國(guó)家半導(dǎo)體公司相同的線性電路。
    4.NEC ELECTRONICS,Inc. (日本電氣電子公司)
      uP: 微型產(chǎn)品。
      A：組合元件；        B：雙極型數(shù)字電路；
      C：雙極型模擬電路；  D：?jiǎn)螛O型數(shù)字電路。
      例：uPC、uPA等。
    5.Sanyo ELECTRIC Co.,Ltd. (三洋電氣有限公司)
      LA：雙極型線性電路； LB：雙極型數(shù)字電路；
      LC：CMOS電路；       STK：厚膜電路。
    6.Toshiba Corp. (東芝公司)
      TA：雙極型線性電路； TC：CMOS電路；
      TD：雙極型數(shù)字電路； TM：MOS電路。
    7.Hitachi,Ltd. (日立公司)
      HA：模擬電路；       HD：數(shù)字電路；
      HM：RAM電路；        HN：ROM電路；
    8.SGS SEMICONDUCTOR Corp. (SGS半導(dǎo)體公司)
      TA、TB、TC、TD：線性電路；  H：高電平邏輯電路；
      HB、HC：CMOS電路。
      例：TD A 后\'A\'為溫度代號(hào)。

     部分集成電路制造公司名稱(chēng)及型號(hào)前綴

   先進(jìn)微器件公司 〔美國(guó)〕       AM
   模擬器件公司 〔美國(guó)〕         AD
   仙童半導(dǎo)體公司 〔美國(guó)〕       F、uA
   富士通公司 〔日本〕           MB、MBM
   日立公司 〔日本〕             HA、HD、HM、HN
   英特爾公司 〔美國(guó)〕           I
   英特西爾公司 〔美國(guó)?         ICL、ICM、IM
   松下電子公司 〔日本?         AN
   史普拉格電氣公司 〔美國(guó)〕     ULN、UCN、TDA
   三菱電氣公司 〔日本〕         M
   摩托羅拉半導(dǎo)體公司 〔美國(guó)?   MC、MLM、MMS
   國(guó)家半導(dǎo)體公司 〔美國(guó)〕       LM、LF、LH、LP、AD、DA、CD
   日本電氣有限公司 〔日本〕     uPA、uPB、uPC
   新日本無(wú)線電有限公司 〔日本〕 NJM
   沖電氣工業(yè)公司 〔日本〕       MSM
   飛利浦元件公司 〔荷蘭〕       HEF、TBA、TDA
   三星半導(dǎo)體公司 〔韓國(guó)〕       KA、KM、KS
   山肯電氣有限公司 〔日本〕     STR
   三洋電氣有限公司 〔日本〕     LA、LB、LC、STK
   SGS電子元件公司 〔意大利〕    TDA、H、HB、HC
   夏普電子公司 〔日本〕         LH、LR、IX
   西門(mén)子公司 〔德國(guó)〕           SO、TBA、TDA
   西格乃鐵克斯公司 〔美國(guó)〕     NE、SE、ULN
   索尼公司 〔日本〕             BX、CX
   東芝公司 〔日本〕             TA、TC、TD、TM

2>一、 中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法
半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分（場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四、五部分）組成。五個(gè)部分意義如下：
第一部分：用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管
第二部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時(shí)：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時(shí)：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的內(nèi)型。P-普通管、V-微波管、W-穩(wěn)壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開(kāi)關(guān)管、X-低頻小功率管(F<3MHZ,Pc<1W)、G-高頻小功率管（f>3MHZ,Pc<1W)、D-低頻大功率管（f<3MHZ,Pc>1W)、A-高頻大功率管（f>3MHZ,Pc>1W)、T-半導(dǎo)體晶閘管（可控整流器）、Y-體效應(yīng)器件、B-雪崩管、J-階躍恢復(fù)管、CS-場(chǎng)效應(yīng)管、BT-半導(dǎo)體特殊器件、FH-復(fù)合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用數(shù)字表示序號(hào)
第五部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示規(guī)格號(hào)
例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管
日本半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法
二、日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到前五個(gè)部分，其各部分的符號(hào)意義如下：
第一部分：用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類(lèi)型。0-光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個(gè)pn結(jié)的其他器件、3-具有四個(gè)有效電極或具有三個(gè)pn結(jié)的其他器件、┄┄依此類(lèi)推。
第二部分：日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA注冊(cè)標(biāo)志。S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA注冊(cè)登記的半導(dǎo)體分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料極性和類(lèi)型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控硅、G-N控制極可控硅、H-N基極單結(jié)晶體管、J-P溝道場(chǎng)效應(yīng)管、K-N 溝道場(chǎng)效應(yīng)管、M-雙向可控硅。
第四部分：用數(shù)字表示在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA登記的順序號(hào)。兩位以上的整數(shù)-從“11”開(kāi)始，表示在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA登記的順序號(hào)；不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號(hào)；數(shù)字越大，越是近期產(chǎn)品。
第五部分： 用字母表示同一型號(hào)的改進(jìn)型產(chǎn)品標(biāo)志。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號(hào)產(chǎn)品的改進(jìn)產(chǎn)品。
美國(guó)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法
三、美國(guó)晶體管或其他半導(dǎo)體器件的命名法較混亂。美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件命名方法如下：
第一部分：用符號(hào)表示器件用途的類(lèi)型。JAN-軍級(jí)、JANTX-特軍級(jí)、JANTXV-超特軍級(jí)、JANS-宇航級(jí)、（無(wú)）-非軍用品。
第二部分：用數(shù)字表示pn結(jié)數(shù)目。1-二極管、2=三極管、3-三個(gè)pn結(jié)器件、n-n個(gè)pn結(jié)器件。
第三部分：美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)（EIA）注冊(cè)標(biāo)志。N-該器件已在美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)（EIA）注冊(cè)登記。
第四部分：美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記順序號(hào)。多位數(shù)字-該器件在美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記的順序號(hào)。
第五部分：用字母表示器件分檔。A、B、C、D、┄┄-同一型號(hào)器件的不同檔別。如：JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開(kāi)關(guān)三極管，JAN-軍級(jí)、2-三極管、N-EIA 注冊(cè)標(biāo)志、3251-EIA登記順序號(hào)、A-2N3251A檔。
四、 國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法
德國(guó)、法國(guó)、意大利、荷蘭、比利時(shí)等歐洲國(guó)家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國(guó)家，大都采用國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法。這種命名方法由四個(gè)基本部分組成，各部分的符號(hào)及意義如下：
第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁帶寬度Eg=0.6~1.0eV 如鍺、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化鎵、D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如銻化銦、E-器件使用復(fù)合材料及光電池使用的材料
第二部分：用字