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調(diào)試DM642外部FLASH奇怪的問題

作者:catiya 欄目:DSP技術(shù)
調(diào)試DM642外部FLASH奇怪的問題
能耐心看完的大俠,請多多指點,問題是這樣的:

DM642外括FLASH,型號是S29AL008D,大小是1M,采用8位模式,用來做Boot,現(xiàn)在Boot調(diào)通了,FLASH也能順利寫入和讀出,但在擦除的過程中遇到一個奇怪的問題:

假設(shè)我的主程序中僅包含如下語句:

main()
{      
       Uint32 j;
       Uint32 data_source1 = 0x90000000;
       EVMDM642_FLASH_chiperase();  //整片擦除
●     for(j=0; j<0x100; j++)       //在前0xFF空間寫入數(shù)據(jù)0x00到0xFF
          {    
             FLASH_writeadata(data_source1+j,j); //寫入一個字節(jié)
              //ReadDeviceID();
           }
       while(1)
       ;    
}

    現(xiàn)在如果我在for語句前面設(shè)個斷點,在寫入數(shù)據(jù)成功后,希望對整片FLASH進行擦除,則將程序運行到斷點處(擦除完畢但沒運行for語句),在CCS的0x90000000空間看到FLASH空間在一段時間后確實變成了0xFF,但系統(tǒng)掉電重啟后,直接打開0x90000000,發(fā)現(xiàn)上次寫如的數(shù)據(jù)依然存在,說明擦除實際上沒有成功。
    但是,如果我在寫入數(shù)據(jù)后,將for語句中包含的函數(shù)換成ReadDeviceID()或是其他函數(shù),同樣執(zhí)行到斷點處(擦除完畢但也沒運行for語句),或者干脆將擦除函數(shù)后面的語句全部注釋掉,這樣在CCS里也能看到擦除成功,而且掉電重啟后,訪問0x90000000空間,數(shù)據(jù)全是0xFF,實際擦除成功。
    請問這個現(xiàn)象是什么原因?換了函數(shù),沒有執(zhí)行,是不是編譯的時候堆棧溢出什么的?請哪位幫我做一下問題定位,謝謝!
    另外,EVMDM642_FLASH_chiperase()函數(shù)很簡單,如下:
void EVMDM642_FLASH_chiperase(void)
{
            Uint32 i;
        
            /* Start chip erase sequence */
                                    
            //BYTE mode
            *((Uint8 *)EVMDM642_FLASH_CTLAAA) = 0xaa;
            *((Uint8 *)EVMDM642_FLASH_CTL555) = 0x55;
            *((Uint8 *)EVMDM642_FLASH_CTLAAA) = 0x80;
            *((Uint8 *)EVMDM642_FLASH_CTLAAA) = 0xaa;
            *((Uint8 *)EVMDM642_FLASH_CTL555) = 0x55;
            *((Uint8 *)EVMDM642_FLASH_CTLAAA) = 0x10;
            
            for(i=0; i<10000000; i++)
            ;         
      
}
         EVMDM642_FLASH_CTLAAA是在另一個頭文件里定義的外部常量:

#define EVMDM642_FLASH_BASE          0x90000000
#define EVMDM642_FLASH_CTLAAA        (EVMDM642_FLASH_BASE + 0xaaa)


2樓: >>參與討論
aspl
是不是程序優(yōu)化導致的哦
 
3樓: >>參與討論
catiya
to 2樓
沒有優(yōu)化啊。能具體點嗎?

4樓: >>參與討論
catiya
自己頂一下
哪位幫我分析一下,估計是哪方面的原因?

參與討論
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