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FDD6688S

更新時間:2025-06-18 03:44:57

供應商
產品型號
服務標識
數量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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深圳市世紀成達電子科技有限公
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FDD6688S外觀圖

FDD6688S

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 30V 88A D-PAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

FDD6688S 概述

FDD6688S是由Fairchild Semiconductor（現已被ON Semiconductor收購）生產的一款N溝道MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于多種電源管理應用。其典型應用場景包括直流-直流轉換器、負載開關、電池充電器和電機驅動電路等。在設計中使用FDD6688S時，建議確保柵極驅動電壓足夠高以完全開啟MOSFET，通常需要10V的柵源電壓來達到最佳導通電阻。此外，由于其DPAK封裝尺寸較小，散熱性能有限，在大功率應用中應考慮適當的散熱措施，如增加散熱片或通過PCB布局優(yōu)化散熱路徑。對于高頻應用，需特別關注寄生電感和電容的影響，合理設計PCB走線，減少噪聲干擾并提高整體效率。

FDD6688S 規(guī)格參數

產品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
88A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
5.1 毫歐 @ 18.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
81nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
3290pF @ 15V
功率 - 最大
1.3W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)

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