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FDD8444_F085

更新時間:2025-07-12 10:32:58

供應(yīng)商
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司
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深圳市盈熙微科技有限公司
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FDD8444_F085外觀圖

FDD8444_F085

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 40V 145A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

FDD8444_F085 概述

FDD8444_F085是安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)生產(chǎn)的N溝道MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性。其最大漏源電壓為40V，適用于高頻開關(guān)電源、直流-直流轉(zhuǎn)換器以及負載切換等多種應(yīng)用場景。在開關(guān)電源應(yīng)用中，它能有效降低開關(guān)損耗，提高電源效率。由于其封裝尺寸較小且具備良好的散熱性能，特別適合空間受限的電路設(shè)計。使用時應(yīng)注意驅(qū)動電壓的選擇以確保MOSFET完全導(dǎo)通，并合理布局電路減少寄生電感對開關(guān)性能的影響。對于需要并聯(lián)使用的場景，要保證每個MOSFET的工作條件一致以避免電流分配不均。

FDD8444_F085 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
2,500
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
145A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
5.2 毫歐 @ 50A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
116nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
6195pF @ 25V
功率 - 最大
153W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FDD8444_F085TR

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FDD8444L_F085
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