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FQB2N60TM

更新時間:2025-06-06 07:08:33

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
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詢價

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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深圳市世紀成達電子科技有限公
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深圳市銘科微電子有限公司
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深圳市金燦利電子科技有限公司
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FQB2N60TM外觀圖

FQB2N60TM

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

FQB2N60TM 概述

FQB2N60TM是飛兆半導體（Fairchild Semiconductor）生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET，適用于多種電源管理應用。該器件采用TO-220封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，使其在高效功率轉換電路中表現(xiàn)出色。其最大漏極-源極電壓為600V，連續(xù)漏極電流可達2A，非常適合用于高壓側開關、DC-DC轉換器以及逆變器等場合。在實際應用中，推薦使用適當?shù)臇艠O驅動電路以確保可靠開啟和關閉MOSFET，避免因柵極電壓不足導致的性能下降或損壞。設計時應注意散熱管理，尤其是在高功率應用中，需配備合適的散熱器以保證器件穩(wěn)定工作。

FQB2N60TM 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
800
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2.4A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
4.7 歐姆 @ 1.2A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
11nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
350pF @ 25V
功率 - 最大
3.13W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D²PAK
包裝
帶卷 (TR)

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