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FQP3N30

更新時間:2025-05-19 15:14:08

供應商
產品型號
服務標識
數量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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FQP3N30外觀圖

FQP3N30

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 300V 3.2A TO-220

封裝:TO-220-3

FQP3N30 概述

FQP3N30是飛兆半導體（Fairchild Semiconductor）生產的一款N溝道增強型MOSFET，適用于多種電源管理應用。該器件采用TO-220封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，能夠在高頻率下工作。其最大漏極電流可達3A，最大漏源電壓為300V，適合用于高壓應用場合。典型應用場景包括電機驅動、DC-DC轉換器以及功率因數校正電路中。在實際應用中，建議在柵極與源極之間并聯一個10kΩ的電阻以確?？煽筷P斷。對于高頻應用，應盡量縮短引線長度，并適當增加柵極電阻來抑制振鈴現象。設計PCB時，應將功率走線加寬以降低寄生電感，提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。注意散熱設計，必要時添加散熱器以提升長期可靠性。

FQP3N30 規(guī)格參數

產品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
300V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
3.2A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
2.2 歐姆 @ 1.6A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
7nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
230pF @ 25V
功率 - 最大
55W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220
包裝
管件

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