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FQPF22P10

更新時間:2025-07-05 20:01:03

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詢價

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FQPF22P10外觀圖

FQPF22P10

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET P-CH 100V 13.2A TO-220F

封裝:TO-220-3 整包

FQPF22P10 概述

FQPF22P10是Fairchild Semiconductor生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET，采用DPAK封裝形式。該器件設計用于高效能的開關電源應用中，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻操作環(huán)境。其典型應用場景包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、電池充電器以及電機驅(qū)動電路等。在實際應用中，F(xiàn)QPF22P10由于其低柵極電荷量，能夠?qū)崿F(xiàn)較低的開關損耗，這使得它非常適合于需要高效能量轉(zhuǎn)換的設計。當使用此MOSFET時，應注意適當?shù)臇艠O驅(qū)動電壓以確保最佳性能，并且要考慮散熱管理以維持長期可靠性。例如，在一個典型的降壓變換器電路中，可以通過選擇合適的輸入輸出電容及電感值來優(yōu)化整個系統(tǒng)的效率。此外，為保證安全工作區(qū)（SOA），建議查閱詳細的技術文檔了解具體的操作條件限制。

FQPF22P10 規(guī)格參數(shù)

產(chǎn)品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
QFET™
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
13.2A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
125 毫歐 @ 6.6A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
50nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1500pF @ 25V
功率 - 最大
45W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220F
包裝
管件

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