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HGT1S12N60A4DS

更新時間:2025-07-21 05:16:40

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HGT1S12N60A4DS外觀圖

HGT1S12N60A4DS

Fairchild Semiconductor IGBT - 單路

IGBT SMPS N-CH 600V D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

HGT1S12N60A4DS 概述

HGT1S12N60A4DS是Alpha and Omega Semiconductor公司生產(chǎn)的一款高性能MOSFET。它采用先進的半導體工藝制造，具有低導通電阻和快速開關特性。這款MOSFET適用于高頻開關電源、直流-直流轉(zhuǎn)換器以及功率因數(shù)校正電路等應用場合。在電源管理領域，其高效能表現(xiàn)有助于提升整體系統(tǒng)效率并減少熱損耗。使用時需注意合理選擇柵極驅(qū)動電壓以確保可靠開啟和關閉，推薦在實際電路設計中參考官方數(shù)據(jù)手冊進行PCB布局優(yōu)化，避免寄生電感影響開關性能。

HGT1S12N60A4DS 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
IGBT - 單路
系列
-
IGBT 類型
-
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
2.7V @ 15V，12A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
54A
功率 - 最大
167W
輸入類型
標準型
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D²PAK
包裝
管件

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