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IPB039N04L G

更新時間:2025-05-20 13:30:18

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IPB039N04L G 規(guī)格參數

數據列表
IPB,IPP039N04L G
標準包裝
1,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
80A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
3.9 毫歐 @ 80A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2V @ 45µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
78nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
6100pF @ 25V
功率 - 最大
94W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
PG-TO263-2
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
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