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IRF630STRLPBF

更新時間:2025-07-13 05:39:16

供應商
產(chǎn)品型號
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數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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IRF630STRLPBF 概述

IRF630STRLPBF是由Infineon Technologies生產(chǎn)的N溝道MOSFET。該器件采用D2PAK表面貼裝封裝，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏極-源極電壓為200V，適合在高壓應用中使用。典型應用場景包括電源管理、電機驅(qū)動、DC-DC轉換器以及不間斷電源系統(tǒng)等。在電源管理系統(tǒng)中，可用于實現(xiàn)高效的功率轉換和控制；在電機驅(qū)動電路里，可以作為功率開關來提高效率并減少熱量損耗。此外，在DC-DC轉換器設計中，它能夠提供穩(wěn)定可靠的電壓變換功能。使用時應注意散熱設計以確保器件工作在安全溫度范圍內(nèi)，并按照推薦的柵極驅(qū)動電壓進行操作以防止損壞。根據(jù)具體應用需求合理選擇外圍元件參數(shù)如柵極電阻值等也很重要。

IRF630STRLPBF 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
800
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
9A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
400 毫歐 @ 5.4A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
43nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
800pF @ 25V
功率 - 最大
3W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
帶卷 (TR)

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