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IRLR8726TRLPBF

更新時間:2025-08-01 17:51:18

供應商
產(chǎn)品型號
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深圳市南科功率半導體有限公司
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NK/南科功率
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南科國產(chǎn)替代

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IRLR8726TRLPBF外觀圖

IRLR8726TRLPBF

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 30V 86A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

IRLR8726TRLPBF 概述

IRLR8726TRLPBF是國際整流器公司（現(xiàn)為英飛凌旗下品牌）生產(chǎn)的一款N溝道增強型功率MOSFET。該器件采用PQFN封裝，具有低導通電阻和高開關速度的特點，適用于高頻DC-DC轉換器、負載點調(diào)節(jié)器以及同步整流電路等應用場景。其優(yōu)化的柵極電荷特性有助于提高轉換效率并減少開關損耗，在便攜式設備和通信電源系統(tǒng)中表現(xiàn)出以確保穩(wěn)定工作，建議查閱最新版數(shù)據(jù)手冊獲取詳細參數(shù)并根據(jù)具體應用環(huán)境進行合理選型。

IRLR8726TRLPBF 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
86A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
5.8 毫歐 @ 25A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.35V @ 50µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
23nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2150pF @ 15V
功率 - 最大
75W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
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廣東微爾科技有限公司

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IRLR8726TRLPBF
IRLR010NTRR
IRLR014
IRLR014A
IRLR014ATF
IRLR014N
IRLR014NPBF
IRF9540N

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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