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IRLSZ30

更新時間:2025-06-16 06:54:08

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IRLSZ30 概述

IRLSZ30是由國際整流器公司（現(xiàn)為英飛凌旗下品牌）生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的溝槽技術，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻開關電源、同步整流電路及DC-DC轉換器等應用場合。此款MOSFET的最大漏源電壓Vds為30V，適合低壓應用場景。其超低的Rds(on)值確保了在導通狀態(tài)下的能量損耗極小，有助于提升系統(tǒng)效率。由于具備快速的開關速度，可以有效減少開關過程中的能量損失，從而提高整體性能。此外，緊湊型封裝設計使其成為對空間有嚴格要求的應用的理想選擇。在實際使用時，需注意驅動電壓的選擇以確保MOSFET完全開啟，并且要合理布局PCB以優(yōu)化散熱效果。

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