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IXFH100N25P

更新時間:2025-07-21 21:51:52

供應商
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廠商
封裝/批號
說明
詢價

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IXFH100N25P外觀圖

IXFH100N25P

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 250V 100A TO-247

封裝:TO-247-3

IXFH100N25P 概述

IXFH100N25P是英飛凌科技生產的一款功率MOSFET。該器件采用TO-247封裝，具有高電壓和大電流能力，最大漏源電壓為250V，連續(xù)漏極電流可達100A。其低導通電阻特性有助于減少能量損耗，適用于高效電源轉換系統(tǒng)。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、開關模式電源（SMPS）、電機驅動器以及工業(yè)自動化設備中的高壓電路。在實際應用中，應確保柵極驅動電壓足夠以完全開啟MOSFET，并且要特別注意散熱設計以維持器件工作溫度在安全范圍內。對于高頻開關應用，建議優(yōu)化門極電阻值以減少開關損耗并防止振蕩現(xiàn)象的發(fā)生。

IXFH100N25P 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
PolarHT™ HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
250V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
100A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
27 毫歐 @ 50A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 4mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
185nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
6300pF @ 25V
功率 - 最大
600W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
TO-247
包裝
管件

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IXFH120N15P
IR2112

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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