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IXFT26N50

更新時間:2025-05-15 20:58:24

供應商
產(chǎn)品型號
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數(shù)量
廠商
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詢價

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IXFT26N50外觀圖

IXFT26N50

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 500V 26A TO-268

封裝:TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA

IXFT26N50 概述

IXFT26N50是IXYS公司生產(chǎn)的一款高性能N溝道MOSFET。該器件專為高效率和高速開關應用設計，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓（Vds）為500V，連續(xù)漏極電流（Id）可達26A，適用于各種工業(yè)電源、電機驅動和不間斷電源系統(tǒng)。在高頻開關電源中表現(xiàn)出色，能夠顯著降低開關損耗并提高整體系統(tǒng)效率。此外，該MOSFET還適用于逆變器、焊接設備和其他需要高效功率轉換的應用場景。使用時應注意適當?shù)纳嵩O計以確保穩(wěn)定工作，并根據(jù)具體電路需求選擇合適的柵極驅動電阻值，避免過沖和振鈴現(xiàn)象影響器件性能。

IXFT26N50 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
26A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
200 毫歐 @ 13A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 4mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
160nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
4200pF @ 25V
功率 - 最大
300W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA
供應商設備封裝
TO-268
包裝
管件

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