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IXFX24N100

更新時間:2025-05-26 00:48:24

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IXFX24N100外觀圖

IXFX24N100

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS 247

封裝:TO-247-3

IXFX24N100 概述

IXFX24N100是IXYS公司生產(chǎn)的一款高性能功率MOSFET。這款器件采用IXYS先進的HiPerFET技術(shù)，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高效能電力電子應用。其最大漏源電壓（Vds）為1000V，連續(xù)漏極電流（Id）在25°C時為24A，使得它非常適合高電壓和中等電流的應用場景。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、電機驅(qū)動、開關(guān)電源（SMPS）以及工業(yè)逆變器。在電路設(shè)計中，建議確保柵極驅(qū)動電路能夠提供足夠的驅(qū)動電壓（通常為+15V至-5V），以保證MOSFET完全開啟和關(guān)閉。此外，在布局PCB時應盡量減小柵極回路的電感，以減少開關(guān)損耗和電磁干擾。注意散熱設(shè)計，合理使用散熱器或冷卻系統(tǒng)，確保器件工作溫度保持在安全范圍內(nèi)。

IXFX24N100 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
1000V（1kV）
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
24A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
390 毫歐 @ 12A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5.5V @ 8mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
267nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
8700pF @ 25V
功率 - 最大
560W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設(shè)備封裝
PLUS247?-3
包裝
管件

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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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