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IXGH32N60C

更新時間:2025-05-15 23:44:00

供應商
產品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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誠信經(jīng)營，提供BOM一站式配單服務
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原裝庫存，提供優(yōu)質服務

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只做原裝進口現(xiàn)貨，專注配單

深圳市安富世紀電子有限公司
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十年配單，只做原裝

深圳市華美銳電子有限公司
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52701
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只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年

深圳市威雅利發(fā)展有限公司
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原裝現(xiàn)貨

深圳市華美銳科技有限公司
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3000
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TO247/11+
原裝正品熱賣，價格優(yōu)勢

深圳市華斯頓科技有限公司
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15000
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原裝渠道優(yōu)勢商全新進口深圳現(xiàn)貨原盒原包

深圳市創(chuàng)寶來科技有限公司
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原裝正品，亞太區(qū)混合型電子元器件分銷

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只做原裝現(xiàn)貨

中科航電（深圳）電子集團有限
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一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

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深圳晨欣芯訊電子科技有限公司
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4500
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終端可以免費供樣，支持BOM配單

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原裝現(xiàn)貨，可開專票，提供賬期服務

深圳市誠研翔科技有限公司
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IXGH32N60C外觀圖

IXGH32N60C

IXYS IGBT - 單路

IGBT LT SPEED 600V 60A TO-247AD

封裝:TO-247-3

IXGH32N60C 概述

IXGH32N60C是由IXYS公司生產的一款高性能N溝道MOSFET。該器件采用TO-247封裝，具備低導通電阻和快速開關特性，適用于高電壓、大電流的應用場景。其最大漏源電壓（Vds）為600V，連續(xù)漏極電流（Id）在25°C時可達32A。此款MOSFET廣泛應用于工業(yè)電源、不間斷電源（UPS）、電機驅動及逆變器等領域。在實際應用中，建議在柵極與源極之間添加適當?shù)淖枞菸站W(wǎng)絡以抑制振蕩，并確保散熱設計合理以維持器件的穩(wěn)定運行。對于高壓應用，需注意PCB布局以減少寄生電感的影響，同時應遵循制造商提供的電氣參數(shù)進行電路設計，以保證系統(tǒng)可靠性和效率。

IXGH32N60C 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導體產品
家庭
IGBT - 單路
系列
HiPerFAST™, Lightspeed 2™
IGBT 類型
-
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
2.5V @ 15V，32A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
60A
功率 - 最大
200W
輸入類型
標準型
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
TO-247AD
包裝
散裝

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