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IXTH2N150L

更新時間:2025-05-29 00:49:43

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詢價

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IXTH2N150L 概述

IXTH2N150L是IXYS公司生產的一款高性能功率MOSFET晶體管，采用TO-247封裝形式。該器件設計用于高電壓應用環(huán)境，最大漏源電壓可達1500V，適用于需要高壓開關的場合。其低導通電阻和快速開關特性使其在高效電源轉換器、不間斷電源系統(tǒng)（UPS）、電機驅動以及工業(yè)控制設備中表現(xiàn)出色。在實際應用中，IXTH2N150L常被用作主開關元件，能夠有效降低能量損耗并提高整體系統(tǒng)效率。由于其較高的擊穿電壓，特別適合于惡劣電氣環(huán)境下的使用。當選用此款MOSFET時，需注意柵極驅動電路的設計以確保可靠開啟與關閉，同時合理布局PCB走線減少寄生電感影響。此外，在并聯(lián)多個MOSFET時要考慮電流均衡問題，避免因不均勻發(fā)熱導致器件損壞。

IXTH2N150L 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
Linear
包裝
管件
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
1500 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
2A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
20V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
15歐姆 @ 1A，20V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
8.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
72 nC @ 20 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1470 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
290W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247（IXTH）
封裝/外殼
TO-247-3

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