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IXTP3N110

更新時間:2025-05-16 07:02:08

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IXTP3N110外觀圖

IXTP3N110

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 1100V 3A TO-220

封裝:TO-220-3

IXTP3N110 概述

IXTP3N110是IXYS公司生產(chǎn)的一款高電壓功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝，具有極低的導通電阻和快速開關特性，適用于高效能電源轉(zhuǎn)換應用。其最大漏源電壓可達1100V，連續(xù)漏極電流為3A，非常適合于高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器、電池充電器以及不間斷電源(UPS)系統(tǒng)中作為主開關元件使用。在電路設計中，需注意柵極驅(qū)動電壓的選擇以確保MOSFET完全開啟，同時要合理布局PCB以減少寄生電感對開關性能的影響。散熱設計也是關鍵，建議使用適當?shù)纳崞鱽肀ＷC穩(wěn)定工作。對于初次使用的工程師來說，參考IXYS官方提供的應用筆記將有助于更好地理解和使用此款MOSFET。

IXTP3N110 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
1100V（1.1kV）
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
3A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
4 歐姆 @ 1.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
42nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1350pF @ 25V
功率 - 最大
200W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220
包裝
管件

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