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IXTT30N50L2

更新時間:2025-07-06 03:14:53

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IXTT30N50L2

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 30A 500V TO-268

封裝:TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA

IXTT30N50L2 概述

IXTT30N50L2是IXYS公司生產的一款高性能N溝道MOSFET。該器件專為高壓應用設計，最大漏源電壓（Vds）可達500V，連續(xù)漏極電流（Id）高達30A。其低導通電阻（Rds(on)）特性有助于減少功耗并提高效率。典型應用場景包括開關電源、電機驅動、不間斷電源（UPS）、電池充電器以及工業(yè)控制設備等需要高電壓和大電流處理能力的場合。在這些應用中，IXTT30N50L2能夠提供快速的開關速度和優(yōu)異的熱穩(wěn)定性。使用時需注意正確的柵極驅動電路設計以確保MOSFET可靠開啟與關閉，避免因過沖或欠壓導致的損壞。推薦在柵極串聯(lián)適當阻值的電阻來抑制振蕩，并在源極和柵極之間并聯(lián)齊納二極管進行保護。此外，良好的散熱設計對于維持長期穩(wěn)定運行至關重要。

IXTT30N50L2 規(guī)格參數(shù)