深圳市宏捷佳電子科技有限公司
HC5050SARGBW4C-W601 BHUFGDRHYNK
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型號 | 供應商 | 庫存 | 品牌 | 單次最多申領數(shù)量(片) | 封裝工藝 | 元件分類 | 申領 | |
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IPD031N06L3 G |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TO-252 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
BSC031N06NS3 G |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | DFN5X6 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
ESD56281N06 |
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廣東星河微電子有限公司 | 9000 | Cnnpchip/新晶微 | 5 | DFN1006-2L | 二極管 | 掃碼申領 |
MLD1N06CLT4G |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-252 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
IPB081N06L3G |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-263 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
PHD21N06LT |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-252 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
IPD031N06L3G |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-252 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
PHD21N06LT |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | TO252 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
IPB081N06L3G |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | TO263 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
IPD031N06L3G |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | TO252 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
MLD1N06CLT4G |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | TO252 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |